[实用新型]一种半导体激光器管壳封装结构有效

专利信息
申请号: 202120064877.2 申请日: 2021-01-12
公开(公告)号: CN214124312U 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 王永春;朱兵;李巧英;韩强;陈熙东 申请(专利权)人: 镭凯光电(苏州)有限公司
主分类号: H01S5/0237 分类号: H01S5/0237;H01S5/02315;H01S5/024
代理公司: 江苏弘扬知识产权代理有限公司 32495 代理人: 龙礼妹
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 管壳 封装 结构
【说明书】:

本实用新型公开了一种半导体激光器管壳封装结构,包括管壳体和底座,管壳体的两侧设有若干复数根引脚,底座上连接有环形连接块,环形连接块上设有与管壳体相配合的凹槽,管壳体焊接在所述凹槽内,底座上设有载体座,载体座的上端面包括若干个坡面,其中上一坡面比相邻的下一坡面高出同一高度,载体座上设有芯片,载体座的中部开设有插槽,插槽内连接有降温板,底座上设有供所述降温板伸出的开孔。能够克服现有技术中焊接的温度直接从底座散失,导致焊接效果差的缺点;另外每一个坡面上方的焊锡片融化后热量向下传递能够将该坡面下方的焊锡片融化,减少焊接过程中的热量消耗。

技术领域

本实用新型属于半导体激光器技术领域,具体是一种半导体激光器管壳封装结构。

背景技术

半导体激光器件通常需要芯片载体进行器件封装,封装过程需要进行光纤耦合,通过加热的方式使封装玻璃进行熔化和成型。

现有的载体结构使得热量大量流失并且影响焊锡片的成型,易导致其他部件也发生熔化的现象产生芯片移位,同时耦合时间过长容易导致器件成品率低。例如申请号为201420333300.7的中国专利中公开了芯片之间焊接在底座上,在焊接时产生的大量热量也直接通过底座被大量散失了,使得器件的耦合效果较差。

针对现有技术的缺点,目前尚没有解决方案。

发明内容

针对相关技术中焊接时大量的热量散失,器件的耦合效果差的技术问题,本实用新型提出一种半导体激光器管壳封装结构,能够克服现有技术的上述不足。

为实现上述技术目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种半导体激光器管壳封装结构,包括管壳体和底座,所述管壳体的两侧设有若干复数根引脚,所述底座上连接有环形连接块,所述环形连接块上设有与所述管壳体相配合的凹槽,所述管壳体焊接在所述凹槽内,所述底座上设有载体座,所述载体座的上端面包括若干个坡面,其中上一坡面比相邻的下一坡面高出同一高度,所述载体座上设有芯片,所述载体座的中部开设有插槽,所述插槽内连接有降温板,所述底座上设有供所述降温板伸出的开孔。

进一步的:每一个所述坡面上均设有焊锡片,所述载体座和所述芯片通过若干个所述焊锡片连接。

进一步的:所述载体座为直角梯形结构,所述若干个坡面均设在直角梯形的斜腰上。

进一步的:所述插槽的截面为矩形结构,且所述插槽的四个角处设有向外延伸的弯钩,所述降温板与所述插槽形状配合。

进一步的:所述降温板包括插接连接的上降温板和下降温板,所述上降温板连接有若干中间板,所述下降温板上设有供所述中间板插入的配合槽。

进一步的:所述上降温板的下端连接有环形的外插块,所述下降温板的上端连接有与所述外插块配合的内插块。

本实用新型公开了一种半导体激光器管壳封装结构,能够克服现有技术中焊接的温度直接从底座散失,导致焊接效果差的缺点;另外本实用新型每一个坡面上方的焊锡片融化后热量向下传递能够将该坡面下方的焊锡片融化,减少焊接过程中的热量消耗,且载体座内连接的降温板能够使降低载体座的温度,避免热量大量积聚载体座上方,导致焊料重熔。

附图说明

图1是本实用新型一种半导体激光器管壳封装结构底座与管壳体部分的结构示意图;

图2使本实用新型一种半导体激光器管壳封装结构载体座部分的剖视图;

图3是本实用新型一种半导体激光器管壳封装结构底座的剖视图;

图4是本实用新型一种半导体激光器管壳封装结构的降温板的结构示意图;

图5是本实用新型一种半导体激光器管壳封装结构载体座的侧视图;

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