[实用新型]一种降低VDMOS开关时间的器件结构

权利要求书

1.一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，包括

本体机构(10)；

壳体机构(20)，所述壳体机构(20)包括外壳(210)、缓冲组件(260)和散热组件(270)，所述散热组件(270)包括散热片(271)、热管(272)、铜片(273)、导热垫(274)和插杆(275)，所述散热片(271)连接于所述外壳(210)一侧，所述热管(272)两端与所述散热片(271)和所述铜片(273)连接，所述导热垫(274)两侧与所述铜片(273)和所述本体机构(10)一侧贴合，所述缓冲组件(260)两端与所述铜片(273)和所述外壳(210)内壁连接，所述插杆(275)安装于所述铜片(273)一侧，所述插杆(275)插接于所述本体机构(10)，所述外壳(210)套接于所述本体机构(10)外表面。

2.根据权利要求1所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述本体机构(10)包括N+型衬底(110)、N－型外延层(120)、P型体区(130)、N+有源区(140)、多晶硅栅极(150)、P+有源区(160)、源极金属(170)和栅极氧化区(180)，所述N－型外延层(120)设置于所述N+型衬底(110)一侧，所述P型体区(130)和所述栅极氧化区(180)设置于所述N－型外延层(120)一侧，所述N+有源区(140)设置于P型体区(130)一侧，所述P+有源区(160)设置于所述P型体区(130)内，所述源极金属(170)插接于所述N+有源区(140)，所述源极金属(170)一端与所述P+有源区(160)贴合，所述多晶硅栅极(150)设置于所述栅极氧化区(180)一侧，所述源极金属(170)与所述多晶硅栅极(150)和N+有源区(140)之间设置有介质层，所述导热垫(274)一侧与所述源极金属(170)一侧贴合。

3.根据权利要求2所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述源极金属(170)一侧开设有凹槽(190)，所述插杆(275)插接于所述凹槽(190)。

4.根据权利要求3所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述散热组件(270)还包括第二减震垫(276)，所述第二减震垫(276)安装于所述凹槽(190)内壁。

5.根据权利要求1所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述插杆(275)设置为两个对称分布，所述导热垫(274)位于两个所述插杆(275)之间。

6.根据权利要求1所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述外壳(210)一侧开设有第一通孔(280)，所述第一通孔(280)与所述热管(272)间隙配合。

7.根据权利要求1所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述缓冲组件(260)包括圆杆(261)和弹簧(262)，所述圆杆(261)连接于所述外壳(210)内壁，所述弹簧(262)两端与所述外壳(210)内壁和所述铜片(273)连接，所述弹簧(262)套接于所述圆杆(261)外表面。

8.根据权利要求7所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述铜片(273)内表面开设有第二通孔(277)，所述圆杆(261)能够于所述第二通孔(277)内移动。

9.根据权利要求2所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述壳体机构(20)还包括支撑柱(220)、支板(230)和第一减震垫(240)，所述支撑柱(220)两端与所述外壳(210)内壁和所述支板(230)连接，所述第一减震垫(240)两侧与所述支板(230)和所述N+型衬底(110)相贴合。

10.根据权利要求9所述的一种降低VDMOS开关时间的器件结构，其特征在于，所述第一减震垫(240)一侧开设有凹痕(250)，所述凹痕(250)与所述支板(230)一侧相贴合。