[实用新型]一种降低VDMOS开关时间的器件结构

说明书

本实用新型提供了一种降低VDMOS开关时间的器件结构，属于VDMOS器件技术领域。该降低VDMOS开关时间的器件结构包括本体机构和壳体机构。所述壳体机构包括外壳、缓冲组件和散热组件，所述散热组件包括散热片、热管、铜片、导热垫和插杆，所述散热片连接于所述外壳一侧，所述热管两端与所述散热片和所述铜片连接，所述导热垫两侧与所述铜片和所述本体机构一侧贴合，所述缓冲组件两端与所述铜片和所述外壳内壁连接。本实用新型通过导热垫、铜片、热管、散热片、弹簧和插杆的作用，从而达到了具有散热功能的目的，散热结构可对VDMOS管进行被动散热，使VDMOS管处于适温状态，便于延长VDMOS管的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及VDMOS器件领域，具体而言，涉及一种降低VDMOS开关时间的器件结构。

背景技术

VDMOS管是一款声效应功率晶体管，VDMOS管兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，跨导高度线性，可有效降低的开关时间，而现有的降低VDMOS开关时间的器件结构不具有散热的功能，由于VDMOS管长时间使用后会积累热量，热量如果一直累积不能散热出去，会使VDMOS管温度过高，影响VDMOS管的使用和寿命。

实用新型内容

为了弥补以上不足，本实用新型提供了一种降低VDMOS开关时间的器件结构，旨在改善不具有散热功能的问题。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型提供一种降低VDMOS开关时间的器件结构，包括本体机构和壳体机构。

所述壳体机构包括外壳、缓冲组件和散热组件，所述散热组件包括散热片、热管、铜片、导热垫和插杆，所述散热片连接于所述外壳一侧，所述热管两端与所述散热片和所述铜片连接，所述导热垫两侧与所述铜片和所述本体机构一侧贴合，所述缓冲组件两端与所述铜片和所述外壳内壁连接，所述插杆安装于所述铜片一侧，所述插杆插接于所述本体机构，所述外壳套接于所述本体机构外表面。

在本实用新型的一种降低VDMOS开关时间的器件结构实施例中，所述本体机构包括N+型衬底、N－型外延层、P型体区、N+有源区、多晶硅栅极、P+有源区、源极金属和栅极氧化区，所述N－型外延层设置于所述N+型衬底一侧，所述P型体区和所述栅极氧化区设置于所述N－型外延层一侧，所述N+有源区设置于P型体区一侧，所述P+有源区设置于所述P型体区内，所述源极金属插接于所述N+有源区，所述源极金属一端与所述P+有源区贴合，所述多晶硅栅极设置于所述栅极氧化区一侧，所述源极金属与所述多晶硅栅极和N+有源区之间设置有介质层，所述导热垫一侧与所述源极金属一侧贴合。

在本实用新型的一种降低VDMOS开关时间的器件结构实施例中，所述源极金属一侧开设有凹槽，所述插杆插接于所述凹槽。

在本实用新型的一种降低VDMOS开关时间的器件结构实施例中，所述散热组件还包括第二减震垫，所述第二减震垫安装于所述凹槽内壁。

在本实用新型的一种降低VDMOS开关时间的器件结构实施例中，所述插杆设置为两个对称分布，所述导热垫位于两个所述插杆之间。

在本实用新型的一种降低VDMOS开关时间的器件结构实施例中，所述外壳一侧开设有第一通孔，所述第一通孔与所述热管间隙配合。

在本实用新型的一种降低VDMOS开关时间的器件结构实施例中，所述缓冲组件包括圆杆和弹簧，所述圆杆连接于所述外壳内壁，所述弹簧两端与所述外壳内壁和所述铜片连接，所述弹簧套接于所述圆杆外表面。

在本实用新型的一种降低VDMOS开关时间的器件结构实施例中，所述铜片内表面开设有第二通孔，所述圆杆能够于所述第二通孔内移动。