[实用新型]一种扩膜机有效
申请号: | 202120092552.5 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN214175998U | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 夏芳;谭莲燕;常进 | 申请(专利权)人: | 武汉优一等半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00;H05F3/04 |
代理公司: | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人: | 易滨 |
地址: | 430000 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩膜机 | ||
1.一种扩膜机,其特征在于,包括:框架机构(1)、顶膜机构(2)、压膜机构(3)、离子风机(4)、硅屑收集槽(5)和控制系统(6),其中:
所述框架机构(1)固定连接在上基板(7)和下基板(8)之间;
所述顶膜机构(2)包括可上下移动的第一驱动件(21)、设置在其中的加热组件(22)、与所述第一驱动件(21)下方连接的载台(23)以及与所述框架机构(1)连接的切割环固定平台(24),所述顶膜机构(2)固定在所述上基板(7)的下表面,用于固定加热组件(22)、对LED胶膜进行加热以及将LED胶膜扩膜;
所述压膜机构(3)包括可上下移动的第二驱动件(31)、与所述第二驱动件(31)上表面连接的环形压膜件(32)以及位于所述环形压膜件(32)内侧的环形切割件(33),所述压膜机构(3)固定在所述下基板(8)的上表面,用于固定所述LED胶膜、切割所述LED胶膜以及对LED胶膜去静电;
所述离子风机(4)设置在所述框架机构(1)的下侧附近,并适于吹出去静电的离子风;
所述硅屑收集槽(5)设置在所述压膜机构(3)的下端,用于收集掉落的硅屑;
所述控制系统(6),用于控制所述顶膜机构(2)和所述压膜机构(3)的电机和气缸,并接受传感器信号。
2.根据权利要求1所述的扩膜机,其特征在于,所述框架机构(1)为由四根立柱组成的方形结构,所述立柱的两端分别与所述上基板(7)和所述下基板(8)相连接。
3.根据权利要求1所述的扩膜机,其特征在于,所述切割环固定平台(24)的竖直方向开设有圆形阶梯通槽(241),所述圆形阶梯通槽(241)适于放置所述LED胶膜。
4.根据权利要求3所述的扩膜机,其特征在于,所述顶膜机构(2)还包括切割环(25),所述切割环(25)适于固定在所述切割环固定平台(24)的所述圆形阶梯通槽(241)内。
5.根据权利要求4所述的扩膜机,其特征在于,所述环形压膜件(32)压紧件为电磁铁。
6.根据权利要求5所述的扩膜机,其特征在于,还包括剔粒组件(9),所述剔粒组件(9)包括连接杆(91)、第三驱动件(92)以及用于圆周环绕清除晶粒的清除件(93),所述连接杆(91)的一端与所述清除件(93)连接,另一端与所述第三驱动件(92)固定连接,所述剔粒组件(9)固定连接于所述环形切割件(33),所述环形切割件(33)与所述LED胶膜的表面接触时,所述清除件(93)接触所述载台(23)的上表面。
7.根据权利要求6所述的扩膜机,其特征在于,所述载台(23)的载面尺寸小于所述LED胶膜的尺寸。
8.根据权利要求6所述的扩膜机,其特征在于,所述控制系统(6)包括启动按钮(61)、设置按钮(62)以及紧急暂停按钮(63),所述设置按钮(62)用于设定所述第一驱动件(21)、所述第二驱动件(31)和所述第三驱动件(92)的移动速度以及所述加热组件(22)的温度。
9.根据权利要求1所述的扩膜机,其特征在于,所述载台(23)的直径尺寸小于所述环形压膜件(32)内径尺寸。
10.根据权利要求3所述的扩膜机,其特征在于,所述圆形阶梯通槽(241)还设有所述加热组件(22)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造