[实用新型]一种扩膜机

说明书

本实用新型提供了一种扩膜机，包括框架机构、顶膜机构、压膜机构、离子风机、硅屑收集槽和控制系统，所述框架机构固定连接在上基板和下基板之间，所述顶膜机构包括第一驱动件、加热组件、载台以及切割环固定平台，所述顶膜机构固定在所述上基板的下表面，所述压膜机构包括可上下移动的第二驱动件、与所述第二驱动件上表面连接的环形压膜件以及位于所述环形压膜件内侧的环形切割件，所述压膜机构固定在所述下基板的上表面，所述离子风机设置在所述框架机构的下侧附近，所述硅屑收集槽设置在所述压膜机构的下端，用于收集掉落的硅屑。本实用新型中的扩膜机可减少硅屑残留在晶圆切面，从而提高晶圆的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种扩膜机。

背景技术

晶圆在生产过程中涉及到贴膜、激光切膜、去膜、倒模、扩膜等工艺。为了保证晶圆的晶粒满足检测需求，需要对其进行剔粒操作。但是，由于晶圆各相邻芯粒之间无任何空隙，会导致在剔粒过程中，相邻芯粒出现崩边、划伤的异常问题，严重影响晶圆质量，不利于后续的生产需求。因此，需要对晶圆进行扩膜处理，增大晶粒之间的间隙便于剔粒。

然而，由于激光划片是利用高能激光束，使被照射区域局部融化、气化，从而达到划片的目的。但是由于激光器光束的偏差，切面会有硅屑产生，影响了LED的性能。而对硅屑去除的传统处理方法为：采用溶液等清洗，这又会引进其它杂质。

现有的扩膜机在固定晶圆膜时，由于无法处理粘附在切面的硅屑，严重影响了芯片的良率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种扩膜机，可减少硅屑残留在晶圆切面，从而提高晶圆的良率。

为解决上述问题，本实用新型提供一种扩膜机，包括框架机构、顶膜机构、压膜机构、离子风机、硅屑收集槽和控制系统，其中：

所述框架机构固定连接在上基板和下基板之间；

所述顶膜机构包括可上下移动的第一驱动件、设置在其中的加热组件、与所述第一驱动件下方连接的载台以及切割环固定平台，所述顶膜机构固定在所述上基板的下表面，用于固定加热组件、对LED胶膜进行加热以及将LED胶膜扩膜；

所述压膜机构包括可上下移动的第二驱动件、与所述第二驱动件上表面连接的环形压膜件以及位于所述环形压膜件内侧的环形切割件，所述压膜机构固定在所述下基板的上表面，用于固定所述LED胶膜、切割所述LED胶膜以及对LED胶膜去静电；

所述离子风机设置在所述框架机构的下侧附近，并适于吹出去静电的离子风；

所述硅屑收集槽设置在所述压膜机构的下端，用于收集掉落的硅屑；

所述控制系统，用于控制所述顶膜机构和所述压膜机构的电机和气缸，并接受传感器信号。

由此，通过设计顶膜结构倒置于扩膜机上方的扩膜机，将LED晶圆的载体-LED胶膜粘性面朝下扩张，避免了硅屑粘附在胶膜上，影响晶粒的性能；同时采用离子风机吹扫的去静电离子风，减少晶体切面粘附的硅屑，提高了芯片的良率；通过采用可移动的硅屑收集槽，可收集掉落的硅屑，方便清理。

优选的，所述框架机构为由四根立柱组成的方形结构，所述立柱的两端分别与所述上基板和所述下基板相连接。

优选的，所述切割环固定平台的竖直方向开设有圆形阶梯通槽，所述圆形阶梯通槽适于放置所述LED胶膜。

优选的，所述顶膜机构还包括切割环，所述切割环适于固定在所述切割环固定平台的所述圆形阶梯通槽内。

优选的，所述环形压膜件的压紧件为电磁铁。