[实用新型]CMOS图像传感器封装结构有效
申请号: | 202120111156.2 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN214542238U | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 李建明;陈会强;郭乐 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 封装 结构 | ||
本实用新型提供一种CMOS图像传感器封装结构,所述CMOS图像传感器封装结构包括:图像传感器芯片和与所述图像传感器芯片电连接的金属导线,所述金属导线的第一端键合于所述图像传感器芯片的焊盘,第二端悬空于所述图像传感器芯片;所述金属导线包括键合于所述图形传感器芯片的第一线弧、从所述第二端向所述图像传感器芯片方向延伸的第二线弧以及连接于所述第一线弧和所述第二线弧的中间线弧;其中,所述中间线弧与所述第二线弧在逆时针方向的夹角小于180°。本实用新型通过改变金属导线的线型,增加金属导线的弹性,以使金属导线可以很好地吸收FPC的翘曲带来的影响,降低虚焊的发生。
技术领域
本实用新型涉及图像传感器领域,尤其涉及一种CMOS图像传感器封装结构。
背景技术
图像传感器是以图像传感器芯片的形式发挥其感受光学图像信息并将其转换成可用输出信号的功能的。图像传感器芯片在工作过程中容易受到外界环境的污染,所以需要对图像传感器芯片进行封装,使图像传感器芯片处于密封环境下,从而避免外界环境对图像传感器芯片的影响,从而提高图像传感器芯片的性能和使用寿命。
目前,所有的图像传感器芯片的封装采用极高洁净环境、高污染复杂工艺设备及材料的生产线封装,主要包括板上芯片封装(COB :Chip On Board)、晶圆级封装(CSP:ChipScale Package)及倒装芯片封转(FC:Flip Chip)。
此外,中国发明专利申请:CN 201510641103.0,公开一种《摄像头模组的装配方法》,揭露了一种新型CIS(CMOS Image Sensor)封装方法,该封装方法包括:提供具有悬空金属导线的图像传感器芯片,所述金属导线的第一端键合于所述图像传感器芯片的焊盘,第二端悬空于所述图像传感器芯片;将所述图像传感器芯片与镜头模块装配形成标准件,然后通过所述金属导线的第二端将所述标准件与电路板装配形成摄像头模组。采用此种封装方法具有模组高度低,封装可靠性佳,光学性能优良,模组倾斜度误差较小,成本较COB、CSP小等诸多优势。这种封装方法的核心之一在于制作一端与图像传感器芯片的焊盘键合,另一端悬空的金属导线。当把这种封装结构的芯片贴装柔性电路板上时,金属导线需要碰触电路板的焊盘,但FPC(柔性电路板)有翘曲度,当FPC翘曲度较大时,金线不能完全接触FPC的焊盘,在焊接的过程中,会带来大于0.5%左右的产品虚焊,影响产品的可靠性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种CMOS图像传感器封装结构,避免FPC翘曲对焊接的影响,提高封装效率和良率。
基于以上考虑,本实用新型提供一种CMOS图像传感器封装结构,包括:图像传感器芯片和与所述图像传感器芯片电连接的金属导线,其特征在于,所述金属导线的第一端键合于所述图像传感器芯片的焊盘,第二端悬空于所述图像传感器芯片; 所述金属导线包括键合于所述图形传感器芯片的第一线弧、从所述第二端向所述图像传感器芯片方向延伸的第二线弧以及连接于所述第一线弧和所述第二线弧的中间线弧;其中,所述中间线弧与所述第二线弧在逆时针方向的夹角小于180°。
可选地,所述中间线弧呈直线形或曲线形。
可选地,所述中间线弧呈直线形,所述中间线弧与水平方向的夹角为50~80°。
可选地,所述第二线弧与水平方向的夹角为10~23°。
可选地,所述中间弧线呈M形或V形或S形。
可选地,所述金属导线为金线。
可选地,所述第二端附着焊料层。
本实用新型的CMOS图像传感器封装结构,具有以下有益效果:
通过改变金属导线的线型,增加金属导线的弹性,以使金属导线可以很好地吸收FPC的翘曲带来的影响,降低虚焊的发生。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的