[实用新型]一种集成前置放大电路的深硅探测器模块

权利要求书

1.一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，包括探测器芯片，探测器芯片包括主探测器芯片和从探测器芯片；主探测器芯片数量为一片，从探测器芯片至少为一片；

每个探测器芯片均包括灵敏区单元、前置放大处理芯片集成区单元以及键合区单元；

各探测器芯片层叠排列，相邻探测器芯片间设置有绝缘层；

探测器芯片设有受光侧，各探测器芯片的受光侧设置在同一弧面，相邻探测器芯片呈角度设置，且相邻探测器芯片的夹角小于设定阈值；

灵敏区单元设置在探测器芯片的受光侧；灵敏区单元包括若干光电单元，各光电单元形成光电阵列，光电阵列沿着探测器芯片受光侧边缘向探测器芯片内侧分布；

设置在探测器芯片受光侧的光电单元形成受光面；

各探测器芯片的前置放大处理芯片集成区单元均包括ASIC芯片，ASIC芯片设有输入管脚和输出管脚；

各探测器芯片的键合区单元均包括输入引线焊盘和输入引线键合铝丝；输入引线焊盘与各光电单元通过金属栅线连接，并与本探测器芯片的ASIC芯片的输入管脚通过输入引线键合铝丝连接；

主探测器芯片的键合区还包括输出引线焊盘和输出引线键合铝丝；输出引线焊盘与主探测器芯片自身的ASIC芯片通过输出引线键合铝丝连接；

在主探测器芯片或相邻从探测器芯片上的与输出引线焊盘对应位置处设置有走线开孔；输出引线焊盘经输出引线键合铝丝贯穿走线开孔后与从探测器芯片的ASIC芯片的输出管脚连接；

主探测器芯片还包括主输出区，主输出区包括主输出焊盘，主输出焊盘与输出引线焊盘通过金属栅线一一对应连接。

2.如权利要求1所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，主探测器芯片的输出引线焊盘包括同层输出引线焊盘和跨层输出引线焊盘；

同层输出引线焊盘与主探测器芯片自身的ASIC芯片通过输出引线键合铝丝连接；

跨层输出引线焊盘经输出引线键合铝丝贯穿走线开孔后与从探测器芯片的ASIC芯片的输出管脚连接。

3.如权利要求1所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，位于上层的探测器芯片上设置有避让开孔，避让开孔与下层探测器芯片的ASIC芯片的位置对应，且避让开孔的尺寸大于下层探测器芯片ASIC芯片及其输出引线键合铝丝的尺寸。

4.如权利要求3所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，主探测器芯片设置在相邻从探测器芯片上层，两层间的走线开孔设置在主探测器芯片上。

5.如权利要求4所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，走线开孔同时为避让开孔，该走线开孔尺寸大于下层从探测器芯片的ASIC芯片及其输入引线键合铝丝的尺寸。

6.如权利要求3所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，主探测器芯片设置在相邻从探测器芯片下层，两层间的走线开孔设置在从探测器芯片上。

7.如权利要求2所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，从探测器芯片数量至少为两片；

主探测器芯片经输出引线键合铝丝贯穿走线开孔与一从探测器芯片的ASIC芯片的输出管脚，在另外的从探测器芯片的对应位置处设置有避让开孔，避让开孔的尺寸大于对应贯穿走线开孔的键合铝丝尺寸。

8.如权利要求7所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，设置有避让开孔的从探测器芯片位于主探测器芯片及其跨层走线的从探测器芯片下层，此避让开孔的尺寸大于上层从探测器芯片的ASIC芯片及其与主探测器芯片跨层输出键合铝丝的尺寸。

9.如权利要求1所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，主输出焊盘设置在主探测器芯片的边缘，且主输出焊盘设置在主探测器芯片受光侧相对一侧，并沿着主探测器芯片边缘呈一行均匀分布。

10.如权利要求1所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，光电阵列沿着探测器芯片受光侧边缘向探测器芯片内侧呈行列分布；

各探测器芯片的受光面设置在同一弧面，各受光面距离X摄线光源距离相等；

各探测器芯片的光电阵列分布相同，各探测器芯片上与X摄线光源距离相等的光电单元位于同一弧面，X摄线穿过受光面后，依次穿过同一探测器芯片上的位于同一弧面的光电单元。