[实用新型]一种集成前置放大电路的深硅探测器模块

说明书

本实用新型提供一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，包括探测器芯片；每个探测器芯片均包括灵敏区单元、前置放大处理芯片集成区单元以及键合区单元；各探测器芯片层叠排列，相邻探测器芯片间设置有绝缘层；灵敏区单元包括若干光电单元，灵敏区单元设置在探测器芯片受光侧；灵敏区单元包括若干光电单元，各光电单元形成光电阵列，光电阵列沿着探测器芯片受光侧边缘向探测器芯片内侧分布；前置放大处理芯片集成区单元包括ASIC芯片；键合区均包括输入输出引线焊盘和输入输出引线键合铝丝；输入引线焊盘与光电单元连接，还与本层ASIC芯片连接；输出引线焊盘与本探测器芯片ASIC芯片连接，还经开孔与相邻层探测器芯片ASIC芯片连接。

技术领域

本实用新型属于探测器技术领域，具体涉及一种集成前置放大电路的深硅探测器模块。

背景技术

目前传统CT上使用探测器为闪烁体探测器，下面集成光电二极管阵列，此种闪烁体探测器成像清晰度低，无法提供彩色图像，设备体积大，重量大；且受探测器像元尺寸限制，空间分辨率有限。

新一代CT用半导体探测器采用单片作为最小单元，排列时采用两层布局，两层错位排放，采用两边读出形式，此种半导体探测器一是受排列布局限制，分前后两层，占用空间大，且读出电路分布于两侧，造成探测器体积大；二是半导体探测器前后两层接收的X射线存在光程差，接收X射线不一致，对成像的清晰度有影响；三是半导体探测器的前后两层交错分布，不利于安装。

此为现有技术的不足，因此，针对现有技术中的上述缺陷，提供一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，是非常有必要的。

发明内容

针对现有技术的上述传统CT的探测器清晰度低，体积大，分辨率有限，而新一代半导体CT两层排列，两边读出，占用空间大，体积大，影响清晰度，且安装复杂的缺陷，本实用新型提供一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，以解决上述技术问题。

本实用新型提供一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，包括探测器芯片，探测器芯片包括主探测器芯片和从探测器芯片；主探测器芯片数量为一片，从探测器芯片至少为一片；

每个探测器芯片均包括灵敏区单元、前置放大处理芯片集成区单元以及键合区单元；

各探测器芯片层叠排列，相邻探测器芯片间设置有绝缘层；

探测器芯片设有受光侧，各探测器芯片的受光侧设置在同一弧面，相邻探测器芯片呈角度设置，且相邻探测器芯片的夹角小于设定阈值；

灵敏区单元设置在探测器芯片的受光侧；灵敏区单元包括若干光电单元，各光电单元形成光电阵列，光电阵列沿着探测器芯片受光侧边缘向探测器芯片内侧分布；

设置在探测器芯片受光侧的光电单元形成受光面；

各探测器芯片的前置放大处理芯片集成区单元均包括ASIC芯片，ASIC芯片设有输入管脚和输出管脚；

各探测器芯片的键合区单元均包括输入引线焊盘和输入引线键合铝丝；输入引线焊盘与个光电单元通过金属栅线连接，并与本探测器芯片的ASIC芯片的输入管脚通过输入引线键合铝丝连接；

主探测器芯片的键合区还包括输出引线焊盘和输出引线键合铝丝；输出引线焊盘与主探测器芯片自身的ASIC芯片通过输出引线键合铝丝连接；

在主探测器芯片或相邻从探测器芯片上的与输出引线焊盘对应位置处设置有走线开孔；输出引线焊盘经输出引线键合铝丝贯穿走线开孔后与从探测器芯片的ASIC芯片的输出管脚连接；

主探测器芯片还包括主输出区，主输出区包括主输出焊盘，主输出焊盘与输出引线焊盘通过金属栅线一一对应连接。

进一步地，主探测器芯片的输出引线焊盘包括同层输出引线焊盘和跨层输出引线焊盘；