[实用新型]一种太阳能电池组件有效
申请号: | 202120133594.9 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN214226919U | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/05 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
地址: | 242074 安徽省宣城市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
1.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:
多个串联连接的太阳能电池;
所述太阳能电池包括:半导体衬底层;N型掺杂层,所述N型掺杂层位于所述半导体衬底层的一侧;P型掺杂层,所述P型掺杂层位于所述半导体衬底层背向所述N型掺杂层的一侧;位于所述N型掺杂层背向所述半导体衬底层一侧的第一透明导电层,位于所述P型掺杂层背向所述半导体衬底层一侧的第二透明导电层,所述第二透明导电层的载流子迁移率高于所述第一透明导电层的载流子迁移率;
其中:部分所述太阳能电池的P型掺杂层位于正面,部分所述太阳能电池的N型掺杂层位于正面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一透明导电层的载流子迁移率为100cm2/v·s~160cm2/v·s;
所述第二透明导电层的载流子迁移率为30cm2/v·s~80cm2/v·s。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一透明导电层和第二透明导电层均为铟系氧化物。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一透明导电层为掺锡氧化铟;所述第二透明导电层为掺锡氧化铟或者掺钨氧化铟。
5.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第二透明导电层的透光率高于所述第一透明导电层的透光率。
6.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第二透明导电层的厚度大于或者等于所述第一透明导电层的厚度。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第二透明导电层的厚度为90nm~130nm;所述第一透明导电层的厚度为90nm~130nm。
8.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池组件,其特征在于:
所述太阳能电池的数量为M个,M为大于或等于2的整数;M个太阳能电池平行排列;对于任意相邻的两个太阳能电池,其中一个所述太阳能电池的P型掺杂层位于正面,另一个所述太阳能电池的P型掺杂层位于背面。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池组件,其特征在于:
第m个所述太阳能电池的N型掺杂层一侧与第m+1个所述太阳能电池的P型掺杂层一侧电学连接;其中m为大于等于1且小于等于M-1的整数。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池组件,其特征在于:第m个所述太阳能电池的P型掺杂层一侧与第m+1个所述太阳能电池的N型掺杂层一侧电学连接;其中m为大于等于1且小于等于M-1的整数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的