[实用新型]一种太阳能电池组件有效
申请号: | 202120133594.9 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN214226919U | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/05 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
地址: | 242074 安徽省宣城市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
本实用新型提供一种太阳能电池组件,包括:多个串联连接的太阳能电池;各太阳能电池包括:半导体衬底层;N型掺杂层,N型掺杂层位于半导体衬底层的一侧;P型掺杂层,P型掺杂层位于半导体衬底层背向N型掺杂层的一侧;位于N型掺杂层背向半导体衬底层一侧的第一透明导电层,位于P型掺杂层背向半导体衬底层一侧的第二透明导电层,第二透明导电层的载流子迁移率高于第一透明导电层的载流子迁移率;部分太阳能电池的P型掺杂层位于正面,部分太阳能电池的N型掺杂层位于正面。本实用新型的太阳能电池组件可提高太阳能电池组件的输出功率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池组件。
背景技术
对于多个双面异质结太阳能电池平行串联而成的太阳能电池组件,由于串联的需求,因而具有N型掺杂层一侧作为正面的太阳能电池和P型掺杂层一侧作为正面的太阳能电池。双面异质结太阳能电池的N型掺杂层和P型掺杂层由于掺杂层的材质不同,N型掺杂层一侧和P型掺杂层一侧分别作为正面时的实际功率不同,N型掺杂层一侧作为正面时的功率较高而P型掺杂层一侧作为正面时的功率较低,实际太阳能电池的双面率(指在入射光相同的情况下N型掺杂层作为正面时太阳能电池的最大输出功率和P型掺杂层作为正面时太阳能电池的最大输出功率之比)约为90%左右。太阳能电池组件整体的最大输出功率受到功率较低的电池(P型掺杂层作为正面的电池)的限制,最大输出功率较高的电池(N型掺杂层作为正面的电池)光电转化形成的电能不能形成完全输出,使得太阳能电池组件整体的功率偏低。
实用新型内容
因此本实用新型提供一种太阳能电池组件,以缓解太阳能电池组件整体的输出功率较低的问题。
本实用新型提供一种太阳能电池组件,包括:多个串联连接的太阳能电池;各太阳能电池包括:半导体衬底层;N型掺杂层,N型掺杂层位于半导体衬底层的一侧;P型掺杂层,P型掺杂层位于半导体衬底层背向N型掺杂层的一侧;位于N型掺杂层背向半导体衬底层一侧的第一透明导电层,位于P型掺杂层背向半导体衬底层一侧的第二透明导电层,第二透明导电层的载流子迁移率高于第一透明导电层的载流子迁移率;部分太阳能电池的P型掺杂层位于正面,部分太阳能电池的N型掺杂层位于正面。
可选的,第一透明导电层的载流子迁移率为100cm2/v·s~160cm2/v·s;第二透明导电层的载流子迁移率为30cm2/v·s~80cm2/v·s。
可选的,第一透明导电层和第二透明导电层均为铟系氧化物,第二透明导电层中的铟含量大于第一透明导电层中的铟含量。
可选的,第一透明导电层为掺锡氧化铟;第二透明导电层为掺锡氧化铟或者掺钨氧化铟。
可选的,第二透明导电层的透光率高于第一透明导电层的透光率。
可选的,第二透明导电层的厚度大于或者等于第一透明导电层的厚度。
可选的,第二透明导电层的厚度为90nm~130nm;第一透明导电层的厚度为90nm~130nm。
可选的,太阳能电池的数量为M个,M为大于或等于2的整数;M个太阳能电池平行排列;对于任意相邻的两个太阳能电池,一个太阳能电池的P型掺杂层位于正面,另一个太阳能电池的P型掺杂层位于背面。
可选的,第m个太阳能电池的N型掺杂层一侧与第m+1个太阳能电池的P型掺杂层一侧电学连接;其中m为大于等于1且小于等于M-1的整数。
可选的,第m个太阳能电池的P型掺杂层一侧与第m+1个太阳能电池的N型掺杂层一侧电学连接;其中m为大于等于1且小于等于M-1的整数。
本实用新型的有益效果在于:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的