[实用新型]一种温度传感器用误差放大器有效

专利信息
申请号: 202120142813.X 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN214480491U 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 何洪楷;郭擎;丁志春;罗轶洲;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 广州芯世物科技有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 代理人: 徐员兰
地址: 510000 广东省广州市南沙区环*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 传感 器用 误差 放大器
【权利要求书】:

1.一种温度传感器用误差放大器,其特征在于,包括:启动电路、基准电流源、偏置电压产生电路以及折叠式共源共栅放大器,其中:

所述启动电路用于在上电后使所述基准电流源正常工作;

所述基准电流源与所述启动电路和所述偏置电压产生电路连接,用于为所述偏置电压产生电路提供基准电流;

所述偏置电压产生电路用于为所述折叠式共源共栅放大器提供偏置电压;

所述折叠式共源共栅放大器用于对差分输入信号进行放大,并输出放大后的电压。

2.根据权利要求1所述的温度传感器用误差放大器,其特征在于,所述折叠式共源共栅放大器包括PMOS管PM0~PM6以及NMOS管NM1~NM4;所述PMOS管PM1和PM2为输入管,所述PMOS管PM1和PM2的栅极输入所述差分输入信号;所述PMOS管PM0为所述PMOS管PM1和PM2提供偏置电流;所述PMOS管PM3~PM6组成共源共栅电流镜;NMOS管NM3和NM4为NMOS管NM1和NM2提供直流偏置。

3.根据权利要求2所述的温度传感器用误差放大器,其特征在于,所述PMOS管PM0的源极接电源电压,所述PMOS管PM0的栅极连接所述偏置电压产生电路,用于接收第一基准电压;所述PMOS管PM0的漏极连接所述PMOS管PM1和PM2的源极;所述PMOS管PM1和PM2的漏极分别连接所述NMOS管NM3和NM4的漏极;所述PMOS管PM3和PM4的源极连接电源电压;所述PMOS管PM3和PM4的栅极连接,并连接至所述NMOS管NM1的漏极;所述PMOS管的PM5和PM6栅极连接,用于接收第二基准电压;所述NMOS管NM1和NM2的栅极连接,用于接收第三基准电压;所述NMOS管NM3和NM4的栅极连接,用于接收第四基准电压;所述NMOS管NM3和NM4的源极接地,所述NMOS管NM3 和NM4的漏极分别连接所述NMOS管NM1和NM2的源极;所述NMOS管NM1和NM2的漏极分别连接所述PMOS管PM5和PM6的漏极;所述NMOS管NM2的漏极作为所述折叠式共源共栅运算放大器的输出端,用于输出所述放大后的电压。

4.根据权利要求3所述的温度传感器用误差放大器,其特征在于,所述偏置电压产生电路包括PMOS管PM7~PM9以及NMOS管NM5~NM9;所述PMOS管PM8和PM9的源极连接电源电压,漏极分别连接NMOS管NM7和NM8的漏极,所述PMOS管PM8和PM9的栅极互连用于输出所述第一基准电压;所述PMOS管PM7的源极连接电源电压,栅极和漏极互连用于输出所述第二基准电压,所述PMOS管PM7的漏极连接至所述NMOS管NM5的漏极;所述NMOS管NM5的栅极用于输出所述第三基准电压,源极连接所述NMOS管NM6的漏极;所述NMOS管NM6的栅极连接所述NMOS管NM7的栅极,用于输出所述第四基准电压;所述NMOS管NM6和NM7的源极接地;所述NMOS管NM7的漏极与栅极互连;所述NMOS管NM8的漏极与栅极互连,并分别连接至所述NMOS管NM5和NM9的栅极;所述NMOS管NM9的漏极连接所述NMOS管NM8的源极,所述NMOS管NM9的源极接地。

5.根据权利要求4所述的温度传感器用误差放大器,其特征在于,所述基准电流源包括PMOS管PM10~PM13以及NMOS管NM10~NM13;所述PMOS管PM10~PM13组成电流镜;所述NMOS管NM10~NM13工作在亚阈值区。

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