[实用新型]一种温度传感器用误差放大器有效

专利信息
申请号: 202120142813.X 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN214480491U 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 何洪楷;郭擎;丁志春;罗轶洲;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 广州芯世物科技有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 代理人: 徐员兰
地址: 510000 广东省广州市南沙区环*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 传感 器用 误差 放大器
【说明书】:

实用新型公开了一种温度传感器用误差放大器,包括:启动电路、基准电流源、偏置电压产生电路以及折叠式共源共栅放大器,其中:所述启动电路用于在上电后使所述基准电流源正常工作;所述基准电流源与所述启动电路和所述偏置电压产生电路连接,用于为所述偏置电压产生电路提供基准电流;所述偏置电压产生电路用于为所述折叠式共源共栅放大器提供偏置电压;所述折叠式共源共栅放大器用于对差分输入信号进行放大,并输出放大后的电压。本实用新型误差放大器具有大增益、高相位裕度、低功耗的特点。

技术领域

本实用新型属于温度传感器电路设计领域,特别涉及一种温度传感器用误差放大器。

背景技术

带隙基准电路是温度传感器电路的重要组成部分,用于将温度传感器的正温度系数电压产生电路产生的电压与负温度系数电压产生电路产生的电压以合适的权重相加,得到与温度无关的带隙基准电压。

在带隙基准电路中,误差放大器是必须的电路。为了提高带隙基准电路的性能,误差放大器的增益必须足够大。但是,电路设计中不可能单纯地追求增益无限大,必须要同时考虑功耗、芯片面积、相位裕度等多方面因素的综合影响。

因此,如何设计一款误差放大器,以使其同时满足大增益、高相位裕度、低功耗的要求,是一个亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种温度传感器用误差放大器,以解决上述背景技术中提出的问题,获得大增益、高相位裕度、低功耗的有益效果。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种温度传感器用误差放大器,包括:启动电路、基准电流源、偏置电压产生电路以及折叠式共源共栅放大器,其中:所述启动电路用于在上电后使所述基准电流源正常工作;所述基准电流源与所述启动电路和所述偏置电压产生电路连接,用于为所述偏置电压产生电路提供基准电流;所述偏置电压产生电路用于为所述折叠式共源共栅放大器提供偏置电压;所述折叠式共源共栅放大器用于对差分输入信号进行放大,并输出放大后的电压。

可选地,所述折叠式共源共栅放大器包括PMOS管PM0~PM6以及NMOS管 NM1~NM4;所述PMOS管PM1和PM2为输入管,所述PMOS管PM1和PM2的栅极输入所述差分输入信号;所述PMOS管PM0为所述PMOS管PM1和PM2提供偏置电流;所述PMOS管PM3~PM6组成共源共栅电流镜;NMOS管NM3和NM4为 NMOS管NM1和NM2提供直流偏置。

可选地,所述PMOS管PM0的源极接电源电压,所述PMOS管PM0的栅极连接所述偏置电压产生电路,用于接收第一基准电压;所述PMOS管PM0的漏极连接所述PMOS管PM1和PM2的源极;所述PMOS管PM1和PM2的漏极分别连接所述NMOS管NM3和NM4的漏极;所述PMOS管PM3和PM4的源极连接电源电压;所述PMOS管PM3和PM4的栅极连接,并连接至所述NMOS管NM1的漏极;所述PMOS管PM5和PM6的栅极连接,用于接收第二基准电压;所述NMOS 管NM1和NM2的栅极连接,用于接收第三基准电压;所述NMOS管NM3和NM4 的栅极连接,用于接收第四基准电压;所述NMOS管NM3和NM4的源极接地,所述NMOS管NM3和NM4的漏极分别连接所述NMOS管NM1和NM2的源极;所述NMOS管NM1和NM2的漏极分别连接所述PMOS管PM5和PM6的漏极;所述NMOS管NM2的漏极作为所述折叠式共源共栅运算放大器的输出端,用于输出所述放大后的电压。

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