[实用新型]基于单层ALN基板的高集成度限幅场放

权利要求书

1.一种基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于，包括：

单层ALN基板；

形成于单层ALN基板一面的第一lange电桥、第二lange电桥；

通过薄膜工艺直接制备于单层ALN基板一面的薄膜电感、薄膜电阻；以及

设于单层ALN基板一面的一组限幅芯片、一组低噪放芯片、大功率负载；

第一lange电桥的两个输出端分别连接一个限幅芯片，第一lange电桥的隔离端连接大功率负载；

各限幅芯片分别连接一个低噪放芯片；

第二lange电桥反向使用，低噪放芯片分别连接于第二lange电桥的两个输入端，第二lange电桥的隔离端连接薄膜电阻；

薄膜电感连接大功率负载，并连接一组限幅芯片。

2.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：第一lange电桥的输入端作为所述高集成度限幅场放的输入端，第二lange电桥的输出端作为所述高集成度限幅场放的输出端。

3.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：第一lange电桥与限幅芯片、大功率负载通过键合金线连接，限幅芯片通过键合金线连接设于单层ALN基板的第一金属线路，第一金属线路与低噪放芯片通过键合金线连接，低噪放芯片通过键合金线连接第二lange电桥，薄膜电阻贴于第二lange电桥的隔离端，薄膜电感通过键合金线连接大功率负载，并通过键合金线连接设于单层ALN基板的第二金属线路，第二金属线路通过键合金线连接一组限幅芯片。

4.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：大功率负载，用于在大功率信号从第一lange电桥的输入端输入时，对反射的功率进行吸收。

5.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：薄膜电感，用于阻挡高频信号通过。

6.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：限幅芯片，用于在大功率信号输入时，导通到地从而对信号进行反射，在小信号输入时，不导通，和地之间开路小信号低损耗通过。

7.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：低噪放芯片，用于对从限幅芯片通过的小信号进行低噪声放大。

8.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：薄膜电阻，用于与第二lange电桥隔离端进行阻抗匹配。

9.根据权利要求1所述的基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，其特征在于：第一lange电桥用于将从其输入端输入的信号功分为两路分别输出至一组限幅芯片，第二lange电桥用于将从一组低噪放芯片放大输出而来的信号进行合成后输出。