[实用新型]基于单层ALN基板的高集成度限幅场放

说明书

基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，包括：单层ALN基板；形成于单层ALN基板一面的第一lange电桥、第二lange电桥；通过薄膜工艺直接制备于单层ALN基板一面的薄膜电感、薄膜电阻；设于单层ALN基板一面的一组限幅芯片、一组低噪放芯片、大功率负载；第一lange电桥的两个输出端分别连接一个限幅芯片连接，第一lange电桥的隔离端连接大功率负载；各限幅芯片分别连接一个低噪放芯片；低噪放芯片分别连接于第二lange电桥的两个输入端，第二lange电桥的隔离端连接薄膜电阻；薄膜电感连接大功率负载、一组限幅芯片。在单层ALN陶瓷基片上直接制备lange电桥、薄膜电阻、薄膜电感，缩小了限幅场放整体尺寸大小，提高限幅场放集成度，减少后期装配工序，有效吸收反射功率，阻隔高频信号。

技术领域

本实用新型属于微波通信领域，尤其与一种基于单层ALN基板的高集成度限幅场放结构有关。

背景技术

限幅场放是雷达接收前端的关键器件，限幅器能够在大功率时对信号进行衰减保护后级功率敏感器件，小信号时低插损通过。随着微波器件向小型化、高集成度、大功率方向发展。对限幅场放的集成度、小型化和散热要求越来越高。

目前，现有技术多采用氧化铝陶瓷作为基板，导热系数、膨胀系数、电阻率等并不理想，并且在采用的限幅放大器件等体积较大，对高频信号的阻隔缺少应对措施，有必要加以改进。

实用新型内容

为解决上述相关现有技术不足，本实用新型一种基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，采用薄膜制备工艺在单层ALN陶瓷基片上直接制备lange电桥、薄膜电阻、薄膜电感等，不仅有效的缩小了限幅场放整体尺寸大小，同时提高的限幅场放的集成度，减少了后期装配工序，有效吸收反射功率，阻隔高频信号。

为了实现本实用新型的目的，拟采用以下方案：

一种基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，包括：

单层ALN基板；

形成于单层ALN基板一面的第一lange电桥、第二lange电桥；

通过薄膜工艺直接制备于单层ALN基板一面的薄膜电感、薄膜电阻；以及

设于单层ALN基板一面的一组限幅芯片、一组低噪放芯片、大功率负载；

第一lange电桥的两个输出端分别连接一个限幅芯片，第一lange电桥的隔离端连接大功率负载；

各限幅芯片分别连接一个低噪放芯片；

第二lange电桥反向使用，低噪放芯片分别连接于第二lange电桥的两个输入端，第二lange电桥的隔离端连接薄膜电阻；

薄膜电感连接大功率负载，并连接一组限幅芯片。

第一lange电桥与限幅芯片、大功率负载通过键合金线连接，限幅芯片通过键合金线连接设于单层ALN基板的第一金属线路，第一金属线路与低噪放芯片通过键合金线连接，低噪放芯片通过键合金线连接第二lange电桥，薄膜电阻贴于第二lange电桥的隔离端，薄膜电感通过键合金线连接大功率负载，并通过键合金线连接设于单层ALN基板的第二金属线路，第二金属线路通过键合金线连接一组限幅芯片。

第一lange电桥的输入端作为所述高集成度限幅场放的输入端，第二lange电桥的输出端作为所述高集成度限幅场放的输出端。

大功率负载，用于在大功率信号从第一lange电桥的输入端输入时，对反射的功率进行吸收。

薄膜电感，用于阻挡高频信号通过。

限幅芯片，用于在大功率信号输入时，导通到地从而对信号进行反射，在小信号输入时，不导通，和地之间开路小信号低损耗通过。

低噪放芯片，用于对从限幅芯片通过的小信号进行低噪声放大。