[实用新型]小型化低损耗耐高功率lange电桥

权利要求书

1.一种小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，包括：

AlN陶瓷基片（01）；

金属微带耦合线（02），设于AlN陶瓷基片（01）一面；以及

金属接地板（03），设于AlN陶瓷基片（01）另一面；

其中，金属微带耦合线（02）包括：微带耦合线组，以及连接微带耦合线组的第一端口（1）、第二端口（2）、第三端口（3）、第四端口（4），微带耦合线组沿AlN陶瓷基片（01）长度方向弯折布置。

2.根据权利要求1所述的小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于：

第一端口（1）、第二端口（2）位于AlN陶瓷基片（01）长度方向一侧；

第三端口（3）、第四端口（4）位于AlN陶瓷基片（01）长度方向另一侧；

第一端口（1）和第四端口（4）位于AlN陶瓷基片（01）长度方向一端；

第二端口（2）、第三端口（3）位于AlN陶瓷基片（01）长度方向另一端；

微带耦合线组一端布置于第一端口（1）和第四端口（4）所处一端，微带耦合线组另一端布置于第二端口（2）和第三端口（3）所处一端，微带耦合线组中部弯折布置。

3.根据权利要求2所述的小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，微带耦合线组弯折成方波形，所述方波形的波谷和波峰分别对应为微带耦合线组朝向AlN陶瓷基片（01）长度方向两侧的弯折处。

4.根据权利要求2或3所述的小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，微带耦合线组，包括并排布置的第一耦合枝（11）、第二耦合枝（21）、中间耦合枝（1-3）、第四耦合枝（41）、第三耦合枝（31），第一耦合枝（11）、第二耦合枝（21）、中间耦合枝（1-3）、第四耦合枝（41）、第三耦合枝（31）依次沿第一端口（1）、第二端口（2）所在一侧向第三端口（3）、第四端口（4）所在一侧间隔布置。

5.根据权利要求4所述的小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于：

第一耦合枝（11），起始于第一端口（1）处，延伸至微带耦合线组总长度一半处，起始端与第一端口（1）连接，末端通过键合金线（5）连接中间耦合枝（1-3）中部；

第二耦合枝（21），相邻间隔于第一耦合枝（11）设置，起始于第二端口（2）处，延伸至第一端口（1）处，起始端与第二端口（2）连接，末端通过键合金线（5）连接第四耦合枝（41）起始端；

中间耦合枝（1-3），相邻间隔于第二耦合枝（21）设置，起始于第三端口（3）处，延伸至第一端口（1）处，起始端与第三端口（3）连接，末端与第一端口（1）连接；

第四耦合枝（41），相邻间隔于中间耦合枝（1-3）设置，起始于第四端口（4）处，延伸至第三端口（3）处，起始端与第四端口（4）连接，末端通过键合金线（5）连接第二耦合枝（21）起始端；

第三耦合枝（31），相邻间隔于第四耦合枝（41）设置，起始于第三端口（3）处，延伸至微带耦合线组总长度一半处，起始端与第三端口（3）连接，末端通过键合金线（5）连接中间耦合枝（1-3）中部。

6.根据权利要求1所述的小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，

当第一端口（1）作为信号输入端口时，与第一端口（1）同于AlN陶瓷基片（01）长度方向一侧的第二端口（2）为信号隔离端口，与第一端口（1）处于对角线方向位置的第三端口（3）为信号直接输出端口，与第一端口（1）同于AlN陶瓷基片（01）长度方向一端的第四端口（4）为信号耦合输出端口；

当第二端口（2）作为信号输入端口时，第一端口（1）为信号隔离端口，第四端口（4）为信号直接输出端口，第三端口（3）为信号耦合输出端口。

7.根据权利要求5所述的小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，各耦合枝的线宽为0.05mm~0.1mm，间隔为0.02~0.05mm。

8.根据权利要求1所述的小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，整体尺寸为：长度6.5mm~8mm、宽度1.5mm~3mm、厚度0.5mm~0.8mm。