[实用新型]小型化低损耗耐高功率lange电桥

说明书

一种小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，包括：AlN陶瓷基片；金属微带耦合线，设于AlN陶瓷基片一面；以及金属接地板，设于AlN陶瓷基片另一面；其中，金属微带耦合线包括：微带耦合线组，以及连接微带耦合线组的第一端口、第二端口、第三端口、第四端口，微带耦合线组沿AlN陶瓷基片长度方向弯折布置。能够承受较高的功率信号，将极大地提高平衡式限幅低噪声放大器的耐功率大小，采用弯折型微带耦合线，缩小了lange电桥的整体尺寸大小，满足了电桥的小型化需求，大大提高了产品的适用性，同时电桥的插入损耗小。

技术领域

本实用新型属于通信领域，尤其与一种小型化低损耗耐高功率lange电桥结构有关。

背景技术

微波限幅低噪声放大器是电子侦察、电子对抗等雷达接收系统中的重要部件,存在着广泛的应用。低噪声放大器的噪声系数直接决定了接收通道的灵敏度指标，在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。随着目前空间电磁信号越来越复杂，为了提高接收系统的抗干扰能力和保护接收通道低噪声放大器不被烧毁，如何能够做到在提高限幅器耐功率同时有效降低噪声系数成为目前研究的重点。

lange电桥作为一种四端口无源器件，其可以将一路信号等分为两路有固定相位差的信号，同时也可以将两路信号合成为一路信号，在如今的通信系统中应用十分普遍。Lange电桥作为平衡式限幅低噪声放大器的关键组成器件，其耐功率和插入损耗的大小将直接影响限幅低噪声放大器的整体性能指标。

目前的lange电桥结构，散热效果并不理想，且插入损耗、电压驻波比等特性不能满足更高的下游应用需求，并在集成化、轻量化的要求下，目前的结构尺寸并不能满足小型化需求，有必要加以改进。

实用新型内容

为解决上述相关现有技术不足，本实用新型一种小型化低损耗耐高功率lange电桥，能够承受较高的功率信号，将极大地提高平衡式限幅低噪声放大器的耐功率大小，采用弯折型微带耦合线，缩小了lange电桥的整体尺寸大小，满足了电桥的小型化需求，大大提高了产品的适用性，同时电桥的插入损耗小。

为了实现本实用新型的目的，拟采用以下方案：

一种小型化低损耗耐高功率lange电桥，其特征在于，包括：

AlN陶瓷基片；

金属微带耦合线，设于AlN陶瓷基片一面；以及

金属接地板，设于AlN陶瓷基片另一面；

其中，金属微带耦合线包括：微带耦合线组，以及连接微带耦合线组的第一端口、第二端口、第三端口、第四端口，微带耦合线组沿AlN陶瓷基片长度方向弯折布置。

进一步，第一端口、第二端口位于AlN陶瓷基片长度方向一侧；第三端口、第四端口位于AlN陶瓷基片长度方向另一侧；第一端口和第四端口位于AlN陶瓷基片长度方向一端；第二端口、第三端口位于AlN陶瓷基片长度方向另一端；

进一步，微带耦合线组一端布置于第一端口和第四端口所处一端，微带耦合线组另一端布置于第二端口和第三端口所处一端，微带耦合线组中部弯折布置。

进一步，微带耦合线组弯折成方波形，所述方波形的波谷和波峰分别对应为微带耦合线组朝向AlN陶瓷基片长度方向两侧的弯折处。

进一步，微带耦合线组，包括并排布置的第一耦合枝、第二耦合枝、中间耦合枝、第四耦合枝、第三耦合枝，第一耦合枝、第二耦合枝、中间耦合枝、第四耦合枝、第三耦合枝依次沿第一端口、第二端口所在一侧向第三端口、第四端口所在一侧间隔布置。

进一步，第一耦合枝，起始于第一端口处，延伸至微带耦合线组总长度一半处，起始端与第一端口连接，末端通过键合金线连接中间耦合枝中部；