[实用新型]一种IGBT静态特性测试电路有效

专利信息
申请号: 202120158825.1 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN214252484U 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 孙玉;张建一;唐德平;朱国军 申请(专利权)人: 合肥科威尔电源系统股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/52;G01R19/25;H02M9/00
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 郑浩
地址: 230088 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 静态 特性 测试 电路
【权利要求书】:

1.一种IGBT静态特性测试电路,其特征在于,包括高压供电回路、低压供电回路、测试回路、被测IGBT、接触器K1、接触器K2、接触器K3;

所述的接触器K1的一端连接在被测IGBT的集电极,接触器K1的另一端连接在被测IGBT的栅极;所述的接触器K2的一端连接在被测IGBT的集电极,接触器K2的另一端连接在被测IGBT的发射极;所述的接触器K3的一端连接在被测IGBT的栅极,接触器K3的另一端连接在被测IGBT的发射极;

所述的高压供电回路包括高压电源(P1),高压电源(P1)的正负极分别连接在连接在被测IGBT的集电极与发射极,用于提供被测IGBT集电极-发射极电压;

所述的低压供电回路包括低压电源(P2),低压电源(P2)的正负极分别连接在连接在被测IGBT的栅极与发射极,用于提供被测IGBT的栅极电压;

所述的测试回路包括数字采集模块(U1),所述的数字采集模块(U1)的电压通道可选择地并联在被测IGBT的集电极与发射极之间或者并联在被测IGBT的栅极与集电极之间,用于测试栅极-发射极短路时的集电极-发射极电压VCE或者测试栅极-发射极阈值电压VGEth;所述的数字采集模块(U1)的电流通道可选择地串联在被测IGBT的集电极与发射极之间或者串联在被测IGBT的栅极与集电极之间,用于测试集电极-发射极截止电流ICES或者测试栅极漏电流IGES

2.根据权利要求1所述的一种IGBT静态特性测试电路,其特征在于,还包括脉冲电流供电回路所述的脉冲电流供电回路包括脉冲电流源(P3),脉冲电流源(P3)的正负极分别连接在连接在被测IGBT的集电极与发射极,用于提供被测IGBT的集电极-发射极电流,此时所述的数字采集模块(U1)的电压通道并联在被测IGBT的栅极与集电极之间,用于测试集电极-发射极饱和电压VCESAT

3.根据权利要求2所述的一种IGBT静态特性测试电路,其特征在于,所述的高压供电回路还包括P沟道MOS管Q1、电阻R1、继电器RL1、继电器RL2、继电器RL3、继电器RL8、继电器RL18;所述的P沟道MOS管Q1的源极与高压电源(P1)的输出端连接,电阻R1、继电器RL1、继电器RL2、继电器RL3依次串联后电阻R1的非串联端连接在P沟道MOS管Q1的漏极,继电器RL3的非串联端连接在被测IGBT的集电极;继电器RL8与继电器RL18串联后继电器RL8的非串联端连接在高压电源(P1)的输出端,继电器RL18的非串联端连接在被测IGBT的发射极。

4.根据权利要求3所述的一种IGBT静态特性测试电路,其特征在于,所述的低压供电回路还包括P沟道MOS管Q2、电阻R2、继电器RL9、继电器RL10、继电器RL11、继电器RL14;所述的P沟道MOS管Q2的源极与低压电源(P2)的输出端连接,电阻R2、继电器RL9、继电器RL10、继电器RL11依次串联后电阻R2的非串联端连接在P沟道MOS管Q2的漏极,继电器RL11的非串联端连接在被测IGBT的栅极;所述的继电器RL14的一端连接在低压电源(P2)的输出端,另一端连接在继电器RL8与继电器RL18的串联公共点。

5.根据权利要求4所述的一种IGBT静态特性测试电路,其特征在于,所述的脉冲电流供电回路还包括继电器RL19、继电器RL20,所述的继电器RL19的一端连接在脉冲电流源(P3)的输出端、另一端连接在继电器RL2与继电器RL3的串联公共点;所述的继电器RL20的一端连接在脉冲电流源(P3)的输出端、另一端连接在继电器RL8与继电器RL18的串联公共点。

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