[实用新型]一种IGBT静态特性测试电路

说明书

一种IGBT静态特性测试电路,涉及IGBT静态特性测试技术领域，解决如何设计一种IGBT静态特性测试电路将功率回路与测试回路分开，从而提高IGBT静态特性测试的精度的问题，通过设计高压供电回路、低压供电回路、测试回路，在测试IGBT静态特性参数时，功率回路与测试回路分开，避免了高压功率、低压功率对测试回路的影响，极大地提高了IGBT静态特性参数测试的精度，在IGBT静态特性测试电路中设置多个继电器，通过在测试回路中切换继电器开关实现测试回路的切换，灵活选择测试通道。

技术领域

本实用新型属于IGBT静态特性测试技术领域，涉及一种IGBT静态特性测试电路。

背景技术

随着电子工业的飞速发展，以IGBT为代表的新型功率半导体器件及其系统得到了越来越广泛的应用，工业中采用IGBT器件制造的装置数量急速增加。如轨道交通动车组的变频器，新能源汽车的电机控制器，光伏发电与风力发电的逆变器等等都使用了大量的IGBT器件。而且，IGBT作为电力电子装置中的核心器件，其重要性也越来越突出。国家对半导体行业的大力扶持，国内半导体产业蓬勃发展。国内外各半导体厂商持续扩大IGBT等半导体器件的研发、设计、制造，在其研发和设计应用中，对器件的测试检测技术要求越来越高，对器件的测试设备市场提出了迫切的需求。

现有技术中的针对IGBT静态特性测试的技术还不够成熟，主要存在以下缺点：

(1)测量范围以及测量精度不够，涉及电源、量表的等级与范围较多，如高压电源几千伏，低压电源几伏，低压大电流恒流源。

(2)测试耗时太长，效率低，仅支持少量样品的连续测试。

现有技术中，申请号为201821797580.1、公开日期为2019年7月30 日的中国实用新型专利《一种通用型压接式IGBT功率模组测试台》公开了一种通用型压接式IGBT功率模组测试台，包括功率电路，DSP控制电路，加热电路和数据采集分析系统，所述功率电路由直流开关电源、储能电容、均压电阻、充放电控制板、限流电阻、叠层母排和IGBT待测器件组成，本实用新型结构科学合理，使用安全方便，采用在IGBT门极加驱动脉冲的测试方法，利用自加热的方式调节器件环境温度，可同时对单个或多个IGBT 组件进行动、静态参数测试，测试的主要参数有：IGBT寄生电感，功率电路杂散电感，IGBT开关时间，di/dt，du/dt，器件开关损耗，实现测试设备安全、方便的一体化操作。

但是上述实用新型专利无法测试栅极-发射极短路时的集电极-发射极电压V_CE、栅极-发射极阈值电压V_GEth集电极-发射极截止电流I_CES、测试栅极漏电流I_GES、集电极-发射极饱和电压V_CESAT。

实用新型内容

本实用新型的目的在于如何设计一种IGBT静态特性测试电路将功率回路与测试回路分开，从而提高IGBT静态特性测试的精度。

本实用新型是通过以下技术方案解决上述技术问题的：

一种IGBT静态特性测试电路，包括高压供电回路、低压供电回路、测试回路、被测IGBT、接触器K1、接触器K2、接触器K3；

所述的接触器K1的一端连接在被测IGBT的集电极，接触器K1的另一端连接在被测IGBT的栅极；所述的接触器K2的一端连接在被测IGBT的集电极，接触器K2的另一端连接在被测IGBT的发射极；所述的接触器K3的一端连接在被测IGBT的栅极，接触器K3的另一端连接在被测IGBT的发射极；

所述的高压供电回路包括高压电源(P1)，高压电源(P1)的正负极分别连接在连接在被测IGBT的集电极与发射极，用于提供被测IGBT集电极- 发射极电压；

所述的低压供电回路包括低压电源(P2)，低压电源(P2)的正负极分别连接在连接在被测IGBT的栅极与发射极，用于提供被测IGBT的栅极电压；