[实用新型]基体装载装置

说明书

本实用新型涉及一种基体装载装置。该装载装置的底板以及顶板均对应设置有多个，多个底板间隔固定设置在托盘上，顶板通过连接组件固定设置在对应的底板的正上方，连接组件的两个第一支撑杆相对设置，两个第一支撑杆的两端分别可拆卸地连接在底板以及顶板上，两个第二支撑杆相对设置，两个第二支撑杆和两个第一支撑杆呈方形布置，两个第二支撑杆的两端分别固定连接在底板以及顶板上，支撑块设置有两个，一个支撑块设置在两个第一支撑杆之间，另一个支撑块设置在两个第二支撑杆之间，每个第二支撑杆的内侧面上以及两个支撑块的侧部均间隔设置有多个插槽。本实用新型可提高基体在转移过程中的稳定性，并可实现基体的快速转移。

技术领域

本实用新型涉及半导体纳米薄膜沉积技术领域，特别涉及一种基体装载装置。

背景技术

随着IC复杂程度的不断提高，按照著名的摩尔定律和国际半导体行业协会公布的国际半导体技术发展路线图，硅基半导体集成电路中金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件的特征尺寸将达到纳米尺度。原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点，受到微电子行业和纳米科技领域的青睐。

现有技术中，原子层沉积加工的技术方案为：将基体放置在一个密封的反应器中，再通过将气相前驱体源交替地通入反应器，以在基体上化学吸附并反应形成沉积膜。

在实现本实用新型的技术方案中，申请人发现现有技术中至少存在以下不足：

现有技术中，需要将基体由反应器的外部转移至反应器中，在基体的转移过程中，如何保证基体的快速转移，又需要保证基体在转移过程中的稳定，是现有技术急需要解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种基体装载装置，解决了或部分解决了现有技术中基体的转移过程中，如何保证基体的快速转移，又需要保证基体在转移过程中的稳定技术问题。

本实用新型的技术方案为：

一种基体装载装置，所述装载装置包括：

托盘；

底板，所述底板设置有多个，多个所述底板沿所述托盘的长度方向间隔固定设置在所述托盘上；

顶板，所述顶板设置有多个，所述顶板和所述底板对应设置，所述顶板通过连接组件固定设置在对应的所述底板的正上方，所述连接组件包括第一支撑杆、第二支撑杆以及支撑块，其中：

两个所述第一支撑杆沿所述托盘的长度方向的中心线相对设置，两个所述第一支撑杆的两端分别可拆卸地连接在所述底板以及所述顶板上；

两个所述第二支撑杆沿所述托盘的长度方向的中心线相对设置，两个所述第二支撑杆和两个所述第一支撑杆呈方形布置，两个所述第二支撑杆的两端分别固定连接在所述底板以及所述顶板上，每个所述第二支撑杆的内侧面上间隔设置有多个插槽；

所述支撑块设置有两个，一个所述支撑块设置在两个所述第一支撑杆之间，另一个所述支撑块设置在两个所述第二支撑杆之间，两个所述支撑块的侧部均间隔设置有多个插槽。

进一步地，所述顶板和对应的所述底板之间通过两个所述连接组件连接，两个所述连接组件沿所述托盘的长度方向设置，每个所述连接组件的两个第一支撑杆设置在所述托盘的长度方向的端部。

进一步地，所述顶板以及所述底板的拐角处均设置有腰形孔，每个所述腰形孔的端部外侧均通过过渡孔和外界相通，所述过渡孔和所述腰形孔的宽度方向一致，所述第一支撑杆的端部可操作地穿过对应的所述过渡孔，所述第一支撑杆的端部可操作地设置在对应的所述腰形孔中。

进一步地，所述第一支撑杆的上端设置有第一凹陷，所述第一支撑杆的第一凹陷处可操作地穿过对应的所述顶板的过渡孔，所述第一支撑杆的第一凹陷处可操作地设置在对应的所述顶板的腰形孔中。