[实用新型]一种吸附传输带有效
申请号: | 202120177500.8 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN213958932U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州三熙智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G15/58 |
代理公司: | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人: | 张坚 |
地址: | 215021 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸附 传输 | ||
1.一种吸附传输带,包括输送台(100)和输送带,输送台(100)中形成有气腔(200)、连通气腔(200)与外界的喷射流道(300)以及连通气腔(200)和正压气源的进气通道(400),所述输送台(100)上还设有吸附表面(500),所述吸附表面(500)上设有连通所述喷射流道(300)的吸槽(510),所述输送带贴近所述吸附表面(500)布置,其特征在于:所述喷射流道(300)的出口不处于所述吸附表面(500)上。
2.按照权利要求1所述的吸附传输带,其特征在于:所述吸附表面(500)位于所述输送台(100)的顶面,所述喷射流道(300)的出口位于所述输送台(100)的侧部或底部。
3.按照权利要求2所述的吸附传输带,其特征在于:所述输送台(100)由基板(110)和负压发生板(120)构成,所述基板(110)上设有第一凹腔(111),所述负压发生板(120)上设有第二凹腔(121),所述基板(110)和所述负压发生板(120)相连,所述第一凹腔(111)和第二凹腔(121)拼合构成所述气腔(200)。
4.按照权利要求3所述的吸附传输带,其特征在于:所述负压发生板(120)安装于所述基板(110)底部,且向下突出所述基板(110),所述喷射流道(300)水平置于所述负压发生板(120)中,其出口(310)位于所述负压发生板(120)突出所述基板(110)外的侧壁上,所述基板(110)的顶面为所述吸附表面(500),所述吸槽(510)由设于所述基板(110)上的通槽(511)和设于所述负压发生板(120)上凹槽(512)拼接构成,所述通槽(511)连通所述吸附表面(500),所述凹槽(512)连通所述喷射流道(300)。
5.按照权利要求4所述的吸附传输带,其特征在于:所述基板(110)的宽度大于所述负压发生板(120)的宽度,所述基板(110)突出所述负压发生板(120)外的底面上具有向下突出的导流部(112),所述导流部(112)具有面朝所述出口(310)的弧形导流面(113)。
6.按照权利要求3所述的吸附传输带,其特征在于:所述负压发生板(120)安装于所述基板(110)顶部,所述负压发生板(120)的顶面为所述吸附表面(500),所述喷射流道(300)水平置于所述负压发生板(120)中,其出口位于所述负压发生板(120)的侧壁上,所述吸槽(510)设于所述负压发生板(120)上,并连通所述吸附表面(500)和所述喷射流道(300)。
7.按照权利要求6所述的吸附传输带,其特征在于:所述负压发生板(120)和所述基板(110)的宽度一致,负压发生板(120)和所述基板(110)的侧壁构成一个连续的平面。
8.按照权利要求1至7中任意一项所述的吸附传输带,其特征在于:所述输送台(100)呈长条形,所述气腔(200)和吸槽(510)均沿所述输送台(100)的长度方向延伸。
9.按照权利要求8所述的吸附传输带,其特征在于:多个所述气腔(200)沿长度方向间隔布置,所述吸槽(510)呈长条形,多个所述吸槽(510)沿长度方向间隔布置。
10.按照权利要求9所述的吸附传输带,其特征在于:所述正压气源为空压机或压缩气瓶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造