[实用新型]一种吸附传输带有效
申请号: | 202120177500.8 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN213958932U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州三熙智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G15/58 |
代理公司: | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人: | 张坚 |
地址: | 215021 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸附 传输 | ||
本实用新型提供了一种吸附传输带,包括输送台和输送带,输送台中形成有气腔、连通气腔与外界的喷射流道以及连通气腔和正压气源的进气通道,所述输送台上还设有吸附表面,所述吸附表面上设有连通所述喷射流道的吸槽,所述输送带贴近所述吸附表面布置,其特征在于:所述喷射流道的出口远离所述吸附表面。通过设置远离吸附表面的喷射流道出口,可以减少气流对薄片工件的干扰,避免薄片工件出现位置偏移或损坏。另外,当输送台在倒吊安装的状态下对薄片工件进行输送时,还能起到避免薄片工件受气流干扰从输送台上掉落的作用。
技术领域
本实用新型涉及光伏、电子和半导体领域,尤其涉及一种吸附传输带。
背景技术
在光伏行业的光伏硅晶片/电池片;电子行业柔性电路板/硬板;3C数码行业的手机或电脑液晶屏/LED屏/屏幕膜;印刷或包材行业的印刷纸皮/彩盒;物流分选以及其他行业中薄片工件的生产制造中,用于吸取薄片工件的吸附设备是必不可少的。现有的吸附设备是利用真空泵或真空电磁阀产生负压气体来起到吸附效果的,其存在以下的缺陷:
1.工作环境必须要有负压气源,即需要使用真空泵或真空电磁阀来产生负压气源,装置结构复杂。
2.真空泵产生的负压虽然足够强,但是材料制造成本很高,而且噪音大、需频繁维护;真空电磁阀成本中等尚可,但提供的负压吸附力较低。无论是真空泵,还是真空电磁阀,由于都需要使用较长的气路来传递负压,反应时间不够快。
为解决该问题,现有一种利用伯努利流体原理的负压发生单元,能够通过正压气体来产生负压吸附力,但是该负压发生单元依然存在以下的不足:发生单元的出口与吸附表面处于同一个面,会对薄片工件的吸附传输造成干扰,导致薄片工件出现位置偏移或损坏。另外,当输送台在倒吊安装的状态下对薄片工件进行输送时,薄片工件很容易因气流干扰导致从输送台上掉落,大幅降低了运行可靠性。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种吸附传输带,能够减少气流干扰,提高运行可靠性。
本实用新型通过如下方式解决该技术问题:
一种吸附传输带,包括输送台和输送带,输送台中形成有气腔、连通气腔与外界的喷射流道以及连通气腔和正压气源的进气通道,所述输送台上还设有吸附表面,所述吸附表面上设有连通所述喷射流道的吸槽,所述输送带贴近所述吸附表面布置,其特征在于:所述喷射流道的出口不处于所述吸附表面上。
通过设置远离吸附表面的喷射流道出口,可以减少气流对薄片工件的干扰,避免薄片工件出现位置偏移或损坏。
另外,当输送台在倒吊安装的状态下对薄片工件进行输送时,还能起到避免薄片工件受气流干扰从输送台上掉落的作用。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述吸附表面位于所述输送台的顶面,所述喷射流道的出口位于所述输送台的侧部或底部。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述输送台由基板和负压发生板构成,所述基板上设有第一凹腔,所述负压发生板上设有第二凹腔,所述基板和所述负压发生板相连,所述第一凹腔和第二凹腔拼合构成所述气腔。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述负压发生板安装于所述基板底部,且向下突出所述基板,所述喷射流道水平置于所述负压发生板中,其出口位于所述负压发生板突出所述基板外的侧壁上,所述基板的顶面为所述吸附表面,所述吸槽由设于所述基板上的通槽和设于所述负压发生板上凹槽拼接构成,所述通槽连通所述吸附表面,所述凹槽连通所述喷射流道。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述基板的宽度大于所述负压发生板的宽度,所述基板突出所述负压发生板外的底面上具有向下突出的导流部,所述导流部具有面朝所述出口的弧形导流面,所述导流面能够使从所述出口处喷出的气流转化为涡流,使气流喷射更加流畅,从而增加吸槽处的负压吸附力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造