[实用新型]一种多重降噪功能的语音压扩芯片

说明书

本实用新型公开了一种多重降噪功能的语音压扩芯片，包括压扩处理模组、降噪处理模组、第一带通滤波器、模拟扩展器、第一A/D转换器、串行/并行转换器、第二A/D转换器、模拟压缩器、第二带通滤波器、微型电机、第一声音接收模块、第二声音接收模块、第三声音接收模块、第四声音接收模块、第一高频降噪罩、第一低频降噪罩、第二高频降噪罩、第二低频降噪罩，首先由压扩处理模组的作用，可对声音进行压扩和滤波处理，实现声音信号的转换和传输，其次配合降噪处理模组，能够对声音进行高频降噪、低频降噪、高低双频降噪以及正常无降噪四种状态的处理，同时配合微型电机实现切换，不仅利于后续压扩处理模组的压扩处理，同时也能够满足使用者的不同需要。

技术领域

本实用新型涉及语音压扩技术领域，尤其涉及一种多重降噪功能的语音压扩芯片。

背景技术

压扩是压缩然后扩展的过程。利用压扩系统，高振幅信号将在传输之间被压缩(放大程度小于低振幅信号)，然后在接收器中被扩展(放大程度大于低振幅信号)。压扩是提高通信系统动态范围的方法。压扩是通信系统设计中的一项抑制噪声、提高话音质量的先进的音频技术。

根据上述，虽然现有的压扩技术能够对声音进行一定的降噪作用，但是无法针对性的对严重或特殊的噪音，例如高频、低频等噪音进行前期的降噪，因此影响了声音质量，制约了使用场景和范围。鉴于以上缺陷，实有必要设计一种多重降噪功能的语音压扩芯片。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于：提供一种多重降噪功能的语音压扩芯片，来解决背景技术提出的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种多重降噪功能的语音压扩芯片，包括压扩处理模组和降噪处理模组，所述的压扩处理模组由第一带通滤波器、模拟扩展器、第一A/D转换器、串行/并行转换器、第二A/D转换器、模拟压缩器和第二带通滤波器组成，所述的降噪处理模组由微型电机、第一声音接收模块、第二声音接收模块、第三声音接收模块、第四声音接收模块、第一高频降噪罩、第一低频降噪罩、第二高频降噪罩和第二低频降噪罩组成，所述的降噪处理模组固设于压扩处理模组底部，所述的降噪处理模组与压扩处理模组采用热熔连接，所述的第一带通滤波器固设于压扩处理模组内部顶端，所述的第一带通滤波器与压扩处理模组采用热熔连接，所述的模拟扩展器固设于第一带通滤波器底部，所述的模拟扩展器与第一带通滤波器采用焊接连接，所述的第一A/D转换器固设于模拟扩展器底部，所述的第一A/D转换器与模拟扩展器采用焊接连接，所述的串行/并行转换器固设于第一A/D转换器底部，所述的串行/并行转换器与第一A/D转换器采用焊接连接，所述的第二A/D转换器固设于串行/并行转换器底部，所述的第二A/D转换器与串行/并行转换器采用焊接连接，所述的模拟压缩器固设于第二A/D转换器底部，所述的模拟压缩器与第二A/D转换器采用焊接连接，所述的第二带通滤波器固设于模拟压缩器底部，所述的微型电机固设于降噪处理模组内部中端上侧，所述的微型电机与降噪处理模组采用螺栓连接，所述的第一声音接收模块固设于降噪处理模组内部下端右侧，所述的第一声音接收模块与降噪处理模组采用热熔连接，所述的第二声音接收模块固设于降噪处理模组内部下端左侧，所述的第二声音接收模块与降噪处理模组采用热熔连接，所述的第三声音接收模块固设于降噪处理模组内部下端前侧，所述的第三声音接收模块与降噪处理模组采用热熔连接，所述的第四声音接收模块固设于降噪处理模组内部下端后侧，所述的第四声音接收模块与降噪处理模组采用热熔连接，所述的第一高频降噪罩固设于第一声音接收模块外壁，所述的第一高频降噪罩与第一声音接收模块采用热熔连接，所述的第一低频降噪罩固设于第二声音接收模块外壁，所述的第一低频降噪罩与第二声音接收模块采用热熔连接，所述的第二高频降噪罩固设于第三声音接收模块外壁，所述的第二高频降噪罩与第三声音接收模块采用热熔连接，所述的第二低频降噪罩固设于第三声音接收模块外壁，所述的第二低频降噪罩与第三声音接收模块采用热熔连接。

进一步，所述的降噪处理模组内部四周还设有吸音腔，所述的吸音腔为圆形凹槽。