[实用新型]一种晶圆减薄后下片的防护装置有效
申请号: | 202120196420.7 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN215896314U | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 张先炳 | 申请(专利权)人: | 湖北光安伦芯片有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆减薄后 下片 防护 装置 | ||
1.一种晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:包括限位环(1)和高度调节柱组件(4);所述高度调节柱组件(4)包括高度调节柱(5)和固定件(6),所述固定件(6)套接在所述高度调节柱(5)外;所述限位环(1)上开设有高度调节柱螺纹孔(7);所述高度调节柱(5)上端设置螺纹,并通过所述螺纹和所述高度调节柱螺纹孔(7)与所述限位环(1)相连。
2.如权利要求1所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:所述固定件(6)为滚花螺母。
3.如权利要求1所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:所述限位环(1)包括圆环(2)和保护内圈(3),所述保护内圈(3)连接在所述圆环(2)的内圆上。
4.如权利要求3所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:所述圆环(2)和所述保护内圈(3)一体成型。
5.如权利要求3所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:所述保护内圈(3)的高度大于所述圆环(2)的高度。
6.如权利要求1所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:三个所述高度调节柱组件(4)沿所述限位环(1)的圆周向等距分布。
7.如权利要求1所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:所述高度调节柱(5)的柱脚呈曲面半球状。
8.如权利要求1所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:还包括手柄(9),所述手柄(9)固定安装在所述限位环(1)顶部。
9.如权利要求8所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:所述限位环(1)上开设有手柄安装孔(8),所述手柄(9)通过所述手柄安装孔(8)固定在所述限位环(1)上。
10.如权利要求8所述的晶圆减薄后下片的防护装置,其特征在于:所述手柄(9)上端设置有防滑凸台。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造