[实用新型]一种低成本高性能IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种低成本高性能IGBT驱动电路，其特征在于，包括：

信号输入模块，用于输入第一PWM控制信号和第二PWM控制信号；

驱动模块，用于根据所述第一PWM控制信号控制MOS上管的工作状态，根据所述第二PWM控制信号控制MOS下管的工作状态；

放电模块，包括上管放电单元和下管放电单元，所述上管放电单元用于在MOS上管关闭后，释放MOS上管栅极上的电量；所述下管放电单元用于在MOS下管关闭后，释放MOS下管栅极上的电量。

2.根据权利要求1所述的一种低成本高性能IGBT驱动电路，其特征在于，所述信号输入模块包括第一输入模块和第二输入模块；

所述第一输入模块包括第二十五电阻、第二十六电阻和第九晶体管；

所述第二十五电阻的一端连接第一偏置电压，所述第二十五电阻的另一端连接所述第九晶体管的基极，所述第九晶体管的发射极连接所述第二十六电阻的一端，所述第二十六电阻的另一端输入第一PWM控制信号，所述第九晶体管的集电极连接驱动模块；

所述第二输入模块包括第三十一电阻和第十三晶体管；

所述第十三晶体管的基极连接第一偏置电压，所述第十三晶体管的发射极连接所述第三十一电阻的一端，所述第三十一电阻的另一端输入第二PWM控制信号，所述第十三晶体管的集电极连接驱动模块。

3.根据权利要求2所述的一种低成本高性能IGBT驱动电路，其特征在于，所述驱动模块包括上管驱动单元和下管驱动单元；

所述上管驱动单元用于控制MOS上管的工作状态，所述下管驱动单元用于控制MOS下管的工作状态。

4.根据权利要求3所述的一种低成本高性能IGBT驱动电路，其特征在于，所述上管驱动单元包括第十晶体管、第八二极管、第二十三电阻、第九十九电阻和第一百电阻；

所述第十晶体管的基极连接所述第九晶体管的集电极，所述第十晶体管的反射极连接第二偏置电压，所述第十晶体管的集电极连接所述第八二极管的正极，所述第八二极管的负极连接所述第二十三电阻的一端，所述第二十三电阻的另一端分别连接所述第九十九电阻的一端和第一百电阻的一端，所述第九十九电阻的另一端连接第五MOS管的栅极，所述第一百电阻的另一端连接第六MOS管的栅极；

所述第五MOS管和所述第六MOS管均为MOS上管。

5.根据权利要求3所述的一种低成本高性能IGBT驱动电路，其特征在于，所述下管驱动单元包括第十一晶体管、第十九二极管、第二十八电阻、第二十九电阻、第三十电阻和第六十七电阻；

所述第十一晶体管的基极连接所述第十三晶体管的集电极，所述第十一晶体管的发射极连接第二偏置电压，所述第十一晶体管的集电极连接所述第十九二极管的正极，所述第十九二极管的负极连接所述第二十八电阻的一端，所述第二十八电阻的另一端分别连接所述第二十九电阻的一端、所述第三十电阻的一端和所述第六十七电阻的一端；

所述第二十九电阻的另一端连接第七MOS管的栅极，所述第三十电阻的另一端连接第八MOS管的栅极，所述第六十七电阻的另一端连接第十四MOS管的栅极；

所述第七MOS管、第八MOS管和第十四MOS管均为MOS下管。

6.根据权利要求4所述的一种低成本高性能IGBT驱动电路，其特征在于，所述上管放电单元包括第六晶体管、第四十九电阻、第五十三电阻、第十九电阻和第二十一电容；

所述第六晶体管的基极连接所述第十晶体管的集电极，所述第六晶体管的发射极连接所述第二十三电阻的另一端，所述第六晶体管的集电极依次通过所述第五十三电阻和第十九电阻接地，所述第四十九电阻串联在所述第六晶体管的基极和集电极之间；

所述第二十一电容的一端连接所述第一百电阻的一端，所述第二十一电容的另一端连接所述第六晶体管的集电极。

7.根据权利要求5所述的一种低成本高性能IGBT驱动电路，其特征在于，所述下管放电单元包括第十四晶体管和第十九电阻；

所述第十四晶体管的基极连接所述第十一晶体管的集电极，所述第十四晶体管的发射极连接所述第二十八电阻的另一端，所述第十四晶体管的集电极通过所述第十九电阻接地。