[实用新型]一种低成本高性能IGBT驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种低成本高性能IGBT驱动电路，包括：信号输入模块，用于输入第一PWM控制信号和第二PWM控制信号；驱动模块，用于根据所述第一PWM控制信号控制MOS上管的工作状态，根据所述第二PWM控制信号控制MOS下管的工作状态；放电模块，包括上管放电单元和下管放电单元，所述上管放电单元用于在MOS上管关闭后，释放MOS上管栅极上的电量；所述下管放电单元用于在MOS下管关闭后，释放MOS下管栅极上的电量。本实用新型提供一种新型的低成本高性能中小功率IGBT驱动应用电路，该驱动电路简单，具有低成本和高可靠性的有点，具有很好的经济及社会应用价值，可广泛应用于电力电子应用技术领域。

技术领域

本实用新型涉及电力电子应用技术领域，尤其涉及一种低成本高性能IGBT驱动电路。

背景技术

专利号为CN202020365413.0、CN202010500180.5的现有专利对中小功率IGBT驱动技术做了详述，前者是借助驱动芯片acpl-333j+辅助外围实现IGBT驱动及保护，这增加了芯片成本，对中小企业成本不利；而后者虽然没有借助驱动芯片，但采用光耦驱动隔离，对时速动态性能要求较高的场合无法使用。

术语解释：

IGBT：绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提出一种低成本高性能IGBT驱动电路。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种低成本高性能IGBT驱动电路，包括：

信号输入模块，用于输入第一PWM控制信号和第二PWM控制信号；

驱动模块，用于根据所述第一PWM控制信号控制MOS上管的工作状态，根据所述第二PWM控制信号控制MOS下管的工作状态；

放电模块，包括上管放电单元和下管放电单元，所述上管放电单元用于在MOS上管关闭后，释放MOS上管栅极上的电量；所述下管放电单元用于在MOS下管关闭后，释放MOS下管栅极上的电量。

进一步，所述信号输入模块包括第一输入模块和第二输入模块；

所述第一输入模块包括第二十五电阻、第二十六电阻和第九晶体管；

所述第二十五电阻的一端连接第一偏置电压，所述第二十五电阻的另一端连接所述第九晶体管的基极，所述第九晶体管的发射极连接所述第二十六电阻的一端，所述第二十六电阻的另一端输入第一PWM控制信号，所述第九晶体管的集电极连接驱动模块；

所述第二输入模块包括第三十一电阻和第十三晶体管；

所述第十三晶体管的基极连接第一偏置电压，所述第十三晶体管的发射极连接所述第三十一电阻的一端，所述第三十一电阻的另一端输入第二PWM控制信号，所述第十三晶体管的集电极连接驱动模块。

进一步，所述驱动模块包括上管驱动单元和下管驱动单元；

所述上管驱动单元用于控制MOS上管的工作状态，所述下管驱动单元用于控制MOS下管的工作状态。

进一步，所述上管驱动单元包括第十晶体管、第八二极管、第二十三电阻、第九十九电阻和第一百电阻；

所述第十晶体管的基极连接所述第九晶体管的集电极，所述第十晶体管的反射极连接第二偏置电压，所述第十晶体管的集电极连接所述第八二极管的正极，所述第八二极管的负极连接所述第二十三电阻的一端，所述第二十三电阻的另一端分别连接所述第九十九电阻的一端和第一百电阻的一端，所述第九十九电阻的另一端连接第五MOS管的栅极，所述第一百电阻的另一端连接第六MOS管的栅极；