[实用新型]移相器和天线装置

说明书

本公开提供一种移相器和天线装置，属于无线通信技术领域。本公开的移相器包括：包括衬底、传输线、第一参考电极和第二参考电极。传输线包括沿第一方向并排且间隔设置的多个传输线段，多个传输线段中的每个沿第一方向延伸；任意两相邻的传输线段之间间隙限定出一个连接区；移相器还包括至少一个移相单元；每个移相单元包括：沿第一方向延伸的膜桥和沿第二方向延伸的连接电极；在连接电极背离衬底的一侧设有层间绝缘层；连接电极的两端分别连接第一参考电极和第二参考电极，且连接电极在衬底上的正投影位于连接区；膜桥的两端分别连接限定出连接区的两个传输线段；每个移相单元中的连接电极位于膜桥与衬底所形成的空间内。

技术领域

本公开属于无线通信技术领域，具体涉及一种移相器和天线装置。

背景技术

在通信和雷达应用中，移相器是必不可少的关键组件，现有的移相器主要包括铁氧体移相器、半导体移相器和MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微电子机械系统)移相器等，由于MEMS移相器在插损、功耗、体积与成本等方面均具有明显优势，因此在无线电通讯和微波技术等领域应用受到了广泛关注。

然而，现有的MEMS移相器的每一位开关都需要偏置线引出至相应的焊点，并通过多路偏置电压来控制移相器，导致偏置线和芯片引脚数目较多，此外，现有的MEMS移相器的金属膜桥横跨于两条共面波导地线之间并悬浮在信号线上方，为保证传输线特征阻抗，金属膜桥跨接距离通常较大，通常在百微米左右，金属膜桥较长容易导致金属膜桥塌陷，不利于提升MEMS移相器的成品率。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器和天线装置。

第一方面，本公开实施例提供一种移相器，包括衬底、设置在所述衬底上，且沿第一方向延伸的传输线，以及设置在所述传输线的延伸方向两侧的第一参考电极和第二参考电极；其中，所述传输线包括沿所述第一方向并排，且间隔设置的多个传输线段，所述多个传输线段中的每个沿所述第一方向延伸；任意两相邻的所述传输线段之间间隙限定出一个连接区；所述移相器还包括至少一个移相单元；每个所述移相单元包括：沿所述第一方向延伸的膜桥和沿第二方向延伸的连接电极；在所述连接电极背离所述衬底的一侧设有层间绝缘层；所述连接电极的两端分别连接所述第一参考电极和所述第二参考电极，且所述连接电极在所述衬底上的正投影位于所述连接区；所述膜桥的两端分别连接限定出所述连接区的两个传输线段；每个所述移相单元中的连接电极位于所述膜桥与所述衬底所形成的空间内。

可选地，所述移相单元的数量为多个，各个所述移相单元中的膜桥与所述连接电极之间的间距相等。

可选地，所述移相单元的数量为多个，至少部分所述移相单元中的所述膜桥与所述连接电极之间的间距不等。

可选地，沿所述第一方向，各个所述移相单元中的所述膜桥与所述连接电极之间的间距单调增或者单调减。

可选地，所述移相单元的数量为多个，至少部分所述移相单元中的所述膜桥与所述连接电极在所述衬底上的正投影的交叠面积不同。

可选地，各个所述膜桥的尺寸相同，沿所述第一方向，各所述连接电极的尺寸单调增或者单调减。

可选地，所述第一参考电极、所述第二参考电极、所述连接电极以及所述传输线同层设置，且材料相同。

可选地，所述第一参考电极、所述第二参考电极和所述连接电极连接为一体结构。

可选地，所述膜桥的材料包括铝硅合金。

可选地，所述传输线段的材料包括铜或金。

第二方面，本公开实施例提供一种天线装置，包括上述的移相器。

附图说明

图1为的一种示例性的移相器的结构示意图；