[实用新型]一种碳化硅型高压变频器

权利要求书

1.一种碳化硅型高压变频器，其特征在于，包括用于对高压进行调压的变压器、用于实现高压输出的功率模块和控制器，所述功率模块包括多个串联的碳化硅型功率单元，所述变压器的输出端与所述碳化硅型功率单元的输入端连接，所述碳化硅型功率单元的输出端与所述控制器的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的碳化硅型高压变频器，其特征在于，所述碳化硅型功率单元包括整流电路、滤波电路和逆变电路，所述整流电路的输入端与所述变压器的输出端连接，所述整流电路的输出端与所述滤波电路的输入端连接，所述滤波电路的输出端与所述逆变电路的输入端连接，所述逆变电路的输出端与所述控制器连接。

3.根据权利要求2所述的碳化硅型高压变频器，其特征在于，所述整流电路包括整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、整流二极管D4、整流二极管D5和整流二极管D6，所述整流二极管D1的正极与所述整流二极管D2的负极连接，所述整流二极管D2的正极与所述整流二极管D4的正极连接，所述整流二极管D4的负极与所述整流二极管D3的正极连接，所述整流二极管D3的负极与所述整流二极管D1的负极连接，所述整流二极管D5的负极与所述整流二极管D3的负极连接；所述整流二极管D5的正极与所述整流二极管D6的负极连接，所述整流二极管D6的正极与所述整流二极管D4的正极连接，所述整流二极管D1、所述整流二极管D2的公共端与A相电源连接，所述整流二极管D3、所述整流二极管D4的公共端与B相电源连接，所述整流二极管D5、所述整流二极管D6的公共端与C相电源连接。

4.根据权利要求3所述的碳化硅型高压变频器，其特征在于，所述整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、整流二极管D4、整流二极管D5和整流二极管D6均采用碳化硅肖特基二极管。

5.根据权利要求3所述的碳化硅型高压变频器，其特征在于，所述滤波电路包括电容C1、电容C2、电阻R1和电阻R2，所述电容C1与所述电容C2串联，所述电阻R1和所述电阻R2串联，所述电容C1与所述电阻R1并联，所述电容C2与所述电阻R2并联，所述电容C1、所述电阻R1的公共端与所述整流二极管D5的负极连接，所述电容C2、所述电阻R2的公共端与所述整流二极管D6的正极连接。

6.根据权利要求5所述的碳化硅型高压变频器，其特征在于，所述逆变电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4、信号发生器XFG1、信号发生器XFG2、信号发生器XFG3和信号发生器XFG4，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述信号发生器XFG3的正极连接，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述电阻R1、所述电容C1的公共端连接，所述场效应晶体管Q1的源极与所述场效应晶体管Q2的漏极连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述信号发生器XFG1的正极连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述电阻R2、所述电容C1的公共端连接，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述信号发生器XFG4的正极连接，所述场效应晶体管Q3的漏极与所述场效应晶体管Q1的漏极连接，所述场效应晶体管Q3的源极与所述场效应晶体管Q4的漏极连接，所述场效应晶体管Q4的栅极与所述信号发生器XFG2的正极连接，所述场效应晶体管Q4的源极与所述场效应晶体管Q2的源极连接，所述信号发生器XFG1的负极、所述信号发生器XFG2的负极、信号发生器XFG3的负极以及信号发生器XFG4的负极与所述场效应晶体管Q4的源极连接。

7.根据权利要求6所述的碳化硅型高压变频器，其特征在于，所述场效应晶体管Q1、所述场效应晶体管Q2，所述场效应晶体管Q3、所述场效应晶体管Q4均采用碳化硅型。