[实用新型]一种碳化硅型高压变频器

说明书

本实用新型提出了一种碳化硅型高压变频器，涉及变频器的技术领域。包括用于对高压进行调压的变压器、用于实现高压输出的功率模块和控制器，功率模块包括多个串联的碳化硅型功率单元，变压器的输出端与碳化硅型功率单元的输入端连接，碳化硅型功率单元的输出端与控制器的输入端连接。本设计主要利用碳化硅型功率单元进行改进，从而提高了稳定性，避免了高温带来的不利影响。

技术领域

本实用新型涉及变频器的技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅型高压变频器。

背景技术

随着电力电子技术的发展，高压变频器作为智能电控系统的重要组成部分，在国民经济的各个领域，如电力、水利、石化、冶金等行业发挥着越来越重要的作用。且对于高压变频器的要求也越来越高，其中用于电力运输行业的高压变频器需要长时间进行工作，随着使用时间的增加，其温度也会随着升高，常会发生电路损坏的情况。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅型高压变频器，其能够提高了稳定性，避免了高温带来的不利影响。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本申请实施例提供一种碳化硅型高压变频器，其包括用于对高压进行调压的变压器、用于实现高压输出的功率模块和控制器，功率模块包括多个串联的碳化硅型功率单元，变压器的输出端与碳化硅型功率单元的输入端连接，碳化硅型功率单元的输出端与控制器的输入端连接。

在本实用新型的一些实施例中，碳化硅型功率单元包括整流电路、滤波电路和逆变电路，整流电路的输入端与变压器的输出端连接，整流电路的输出端与滤波电路的输入端连接，滤波电路的输出端与逆变电路的输入端连接，逆变电路的输出端与控制器连接。

在本实用新型的一些实施例中，整流电路包括整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、整流二极管D4、整流二极管D5和整流二极管D6，整流二极管D1的正极与整流二极管D2的负极连接，整流二极管D2的正极与整流二极管D4的正极连接，整流二极管D4的负极与整流二极管D3的正极连接，整流二极管D3的负极与整流二极管D1的负极连接，整流二极管D5的负极与整流二极管D3的负极连接。整流二极管D5的正极与整流二极管D6的负极连接，整流二极管D6的正极与整流二极管D4的正极连接，整流二极管D1、整流二极管D2的公共端与A相电源连接，整流二极管D3、整流二极管D4的公共端与B相电源连接，整流二极管D5、整流二极管D6的公共端与C相电源连接。

在本实用新型的一些实施例中，整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、整流二极管D4、整流二极管D5和整流二极管D6均采用碳化硅肖特基二极管。

在本实用新型的一些实施例中，滤波电路包括电容C1、电容C2、电阻R1和电阻R2，电容C1与电容C2串联，电阻R1和电阻R2串联，电容C1与电阻R1并联，电容C2与电阻R2并联，电容C1、电阻R1的公共端与整流二极管D5的负极连接，电容C2、电阻R2的公共端与整流二极管D6的正极连接。

在本实用新型的一些实施例中，逆变电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4、信号发生器XFG1、信号发生器XFG2、信号发生器XFG3和信号发生器XFG4，场效应晶体管Q1的栅极与信号发生器XFG3的正极连接，场效应晶体管Q1的漏极与电阻R1、电容C1的公共端连接，场效应晶体管Q1的源极与场效应晶体管Q2的漏极连接，场效应晶体管Q2的栅极与信号发生器XFG1的正极连接，场效应晶体管Q2的源极与电阻R2、电容C1的公共端连接，场效应晶体管Q3的栅极与信号发生器XFG4的正极连接，场效应晶体管Q3的漏极与场效应晶体管Q1的漏极连接，场效应晶体管Q3的源极与场效应晶体管Q4的漏极连接，场效应晶体管Q4的栅极与信号发生器XFG2的正极连接，场效应晶体管Q4的源极与场效应晶体管Q2的源极连接。信号发生器XFG1的负极、信号发生器XFG2的负极、信号发生器XFG3的负极以及信号发生器XFG4的负极与场效应晶体管Q4的源极连接。