[实用新型]一种抗静电半导体芯片切割保护膜有效
| 申请号： | 202120232730.X | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN214830056U | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陆扬;景海全 | 申请（专利权）人： | 东莞市清鸿新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09J7/24 | 分类号： | C09J7/24;C09J7/30;C09J7/50;C09J133/04;C09J9/02;C09D175/04;C09D5/24;C09D183/04;C08J7/044;C08L27/06 |
| 代理公司： | 北京瑞盛铭杰知识产权代理事务所(普通合伙) 11617 | 代理人： | 黄淑娟 |
| 地址： | 523843 广东省东莞市长*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗静电 半导体 芯片 切割 保护膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：包括抗静电离型涂层、PVC蓝膜，蓝膜保护底涂和抗静电亚克力胶层，所述抗静电离型涂层、所述PVC蓝膜，所述蓝膜保护底涂和所述抗静电亚克力胶层依次粘接。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：所述蓝膜保护底涂厚度为1～2um。
3.根据权利要求1所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：所述抗静电亚克力胶层厚度为8～12um。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电半导体芯片切割保护膜，其特征在于：所述抗静电离型涂层厚度为0.1～1um。
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