[实用新型]一种抗静电半导体芯片切割保护膜

说明书

本实用新型公开了芯片切割保护膜技术领域，具体领域为一种抗静电半导体芯片切割保护膜，包括抗静电离型涂层、PVC蓝膜，蓝膜保护底涂和抗静电亚克力胶层，具有柔韧性好，耐高温，易于晶圆扩晶、晶圆切割，在扩晶和切割中能消除摩擦产生的静电，其中蓝膜保护底涂的设置，能够一定程度上防止PVC蓝膜中增塑剂析出渗入胶层，提高PVC蓝膜耐高温和耐溶剂性，且使PVC蓝膜不易收缩，抗静电亚克力胶层剥离强度稳定且耐高温180℃，抗静电。使用PVC蓝膜能醒目、有效识别该保护膜，方便使用。本实用新型保护膜，总厚度为80±2um，剥离强度为100±20gf/inch，不残胶，抗静电阻值106～109Ω，离型力20gf/inch。

技术领域

本实用新型涉及芯片切割保护膜技术领域，具体领域为一种抗静电半导体芯片切割保护膜。

背景技术

随着芯片产业的发展，在芯片制造过程中有晶圆扩晶、切割等工序，在此工序中需要一种醒目有效识别，且柔韧性好，无硅转移，能保护晶圆不受物理损伤的保护膜。市面上多数采用PVC等基材配合胶黏剂制作成保护膜。

PVC主要成分为聚氯乙烯，随着助剂用量不同，分为软、硬聚氯乙烯，软制品柔而韧、手感粘，硬制品的硬度高于低密度聚乙烯、而低于聚丙烯。柔软的PVC膜的缺点是容易发生增塑剂的缓慢释放，且不耐溶剂不耐高温，现有采用PVC等基材配合胶黏剂制作成保护膜遇乙酯等溶剂会收缩打卷，遇热会有收缩现象，不利于涂布流平性，且晶圆在扩晶或切割中由于摩擦作用会产生较多的静电，可能击穿晶圆，对晶圆造成损坏，为此提出一种抗静电半导体芯片切割保护膜。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种抗静电半导体芯片切割保护膜，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种抗静电半导体芯片切割保护膜，包括抗静电离型涂层、PVC蓝膜，蓝膜保护底涂和抗静电亚克力胶层，所述抗静电离型涂层、所述PVC蓝膜，所述蓝膜保护底涂和所述抗静电亚克力胶层依次粘接。

优选的，所述蓝膜保护底涂厚度为1～2um。

优选的，所述抗静电亚克力胶层厚度为8～12um；

优选的，所述抗静电离型涂层厚度为0.1～1um。

本实用新型的有益效果是：一种抗静电半导体芯片切割保护膜，具有柔韧性好，耐高温，易于晶圆扩晶、晶圆切割，在扩晶和切割中能消除摩擦产生的静电，其中蓝膜保护底涂的设置，能够一定程度上防止PVC蓝膜中增塑剂析出渗入胶层，提高PVC蓝膜耐高温和耐溶剂性，且使PVC蓝膜不易收缩，抗静电亚克力胶层剥离强度稳定且耐高温180℃，抗静电。使用PVC蓝膜能醒目、有效识别该保护膜，方便使用。本实用新型保护膜，总厚度为80±2um，剥离强度为100±20gf/inch，不残胶，抗静电阻值106～109Ω，离型力20gf/inch。

附图说明

图1为本实用新型抗静电半导体芯片切割保护膜主体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例，对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：

(1)抗静电离型剂配制：

分别称量主剂甲基硅油10份、铂金催化剂0.02份、抗静电剂0.4份，稀释剂100份；将铂金催化剂放入主剂甲基硅油中，加入适量稀释剂搅拌均匀；加入抗静电剂和剩余的稀释剂搅拌均匀；抗静电离型剂配制完毕后准备涂布至PVC蓝膜亮面。

(2)蓝膜保护底涂配制：