[实用新型]一种双芯片放大器合封装的结构有效
| 申请号： | 202120245493.0 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN213988885U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈贤明 | 申请（专利权）人： | 罗定市英格半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L25/10;H01L23/31;H01L23/10;H01L23/24;H01L23/467 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 527200 广东省云*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 放大器 封装 结构 | ||
1.一种双芯片放大器合封装的结构，其特征在于，包括载板(1)，所述载板(1)顶部设置有封盖(2)，所述载板(1)顶部且位于所述封盖(2)内部依次开设有两个开槽(3)，所述开槽(3)内部设置有封装体(4)，两个所述封装体(4)内部分别设置有第一芯片(5)与第二芯片(6)，设置有所述第一芯片(5)的所述封装体(4)顶部两侧均设置有多个第一导电体(7)，设置有所述第二芯片(6)的所述封装体(4)顶部两侧均设置有多个第二导电体(8)，所述第一导电体(7)与所述第二导电体(8)及所述第二导电体(8)与所述载板(1)顶部之间均通过键合金线(9)保持连接，所述开槽(3)底部设置有若干将所述载板(1)贯穿的散热孔(10)。
2.根据权利要求1所述的一种双芯片放大器合封装的结构，其特征在于，所述封装体(4)包括设置在所述开槽(3)内部的封装载体(401)，所述封装载体(401)内部两侧均设置有多个金属连接柱(402)，两个所述金属连接柱(402)底部之间设置有介质板(403)，所述第一芯片(5)与所述第二芯片(6)分别放置在相对应的所述介质板(403)顶部，所述介质板(403)顶部与两个所述金属连接柱(402)之间设置有将所述第一芯片(5)和所述第二芯片(6)罩设的塑封材料(404)，所述封装载体(401)顶部两侧均设置有焊接侧条(405)。
3.根据权利要求2所述的一种双芯片放大器合封装的结构，其特征在于，所述开槽(3)顶部两侧均开设有与所述焊接侧条(405)相配合的焊接槽(11)，所述焊接侧条(405)底部与所述焊接槽(11)顶部之间通过焊料(12)保持连接。
4.根据权利要求2所述的一种双芯片放大器合封装的结构，其特征在于，所述第一导电体(7)与所述第二导电体(8)分别设置在相对应的所述金属连接柱(402)顶部。
5.根据权利要求2所述的一种双芯片放大器合封装的结构，其特征在于，所述金属连接柱(402)底部为T字形结构，所述介质板(403)为与所述金属连接柱(402)底部相配合的工字形结构。
6.根据权利要求1所述的一种双芯片放大器合封装的结构，其特征在于，所述封盖(2)内底部中间位置设置有缓冲条(13)。
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