[实用新型]一种LED芯片转移结构及LED显示板生产系统有效
| 申请号： | 202120248047.5 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN214753687U | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 章金惠;黎楚沂;曹小南;陈润伟;陈宗标 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人： | 杨晖琼 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 转移 结构 显示 生产 系统 | ||
1.一种LED芯片转移结构，其特征在于，所述LED芯片转移结构包括转移件，所述转移件上设置有吸附部；
所述吸附部上设置有磁性纳米结构，所述磁性纳米结构用于通过磁吸力对LED芯片进行吸附，所述磁性纳米结构包括至少两个凸起结构，各所述凸起结构设置于所述磁性纳米结构的远离所述吸附部的一端，相邻两个所述凸起结构在磁力的作用下能够相互靠近或相互远离。
2.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，于所述磁性纳米结构的与LED芯片接触的一侧，在二维平面内，所述磁性纳米结构沿第一方向延伸的长度大于沿第二方向延伸的长度。
3.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述磁性纳米结构包括磁性纳米颗粒，所述磁性纳米颗粒嵌设于所述磁性纳米结构中。
4.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述吸附部包括磁性纳米颗粒，所述磁性纳米颗粒嵌设于所述吸附部中。
5.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述磁性纳米结构设置有至少两个，各所述磁性纳米结构呈阵列式布设于所述吸附部上。
6.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述吸附部的横截面面积与所述LED芯片横截面面积的比值为0.8～1.5。
7.根据权利要求1至6任一项所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述吸附部设置有至少两个，各所述吸附部呈阵列式布设于所述转移件上。
8.根据权利要求7所述的LED芯片转移结构，其特征在于，位于阵列式结构末端的所述吸附部与所述转移件的边缘之间的距离小于或等于相邻两个所述吸附部之间距离的1/2。
9.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述LED芯片转移结构还包括转移头，所述转移件安装于所述转移头上。
10.一种LED显示板生产系统，其特征在于，所述LED显示板生产系统包括如权利要求1至9任一项所述的LED芯片转移结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
