[实用新型]一种LED芯片转移结构及LED显示板生产系统

说明书

本实用新型属于芯片转移技术领域，涉及一种LED芯片转移结构及LED显示板生产系统，该LED芯片转移结构包括转移件，转移件上设置有吸附部；吸附部上设置有磁性纳米结构，磁性纳米结构用于通过磁吸力对LED芯片进行吸附，磁性纳米结构包括至少两个凸起结构，各凸起结构设置于磁性纳米结构的远离吸附部的一端，相邻两个凸起结构在磁力的作用下能够相互靠近或相互远离。该LED芯片转移结构及LED显示板生产系统提供的技术方案能够对LED芯片进行稳固吸附及快速解吸附，应用于LED芯片巨量转移时能够有效提高良品率。

技术领域

本实用新型涉及芯片转移技术领域，尤其涉及一种LED芯片转移结构及LED显示板生产系统。

背景技术

Micro-LED(微型无机发光二极管)芯片是将传统的LED(发光二极管)结构进行微小化和矩阵化，并采用CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。Micro LED具有亮度高、发光效率高、功耗低等特点，被广泛地应用于显示板、背光源或照明等领域中。

在Micro LED显示板的制备过程中，对LED芯片进行巨量转移是其最重要的一个工艺步骤，也是限制其量产化的一大难题。随着Micro LED芯片尺寸的减小，传统意义上芯片的单颗真空吸取和释放已经不太现实，主要原因是真空吸嘴的加工尺寸达不到精度要求，并且转移非常耗时，难以实现工业化转移。现有技术中，一种名为“精确抓取技术”(StampPickPlace)的巨量转移技术被广泛应用，主要采用的是高精度控制的打印头进行弹性印模，利用范德华力将LED芯片粘附在转移头的粘性膜上，再放到目标基板上。然而LED芯片和粘性膜键合面积较少使得两者结合力较弱，导致LED芯片在转移过程中容易掉落，且这种粘性膜在解粘附时可能会带走未及时脱离粘性膜的LED芯片，导致良品率较低，然而MicroLED芯片量产化的良品率要求很高，达到99.9999％才实现最低的量产要求。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种LED芯片转移结构及LED显示板生产系统，用以解决现有LED芯片巨量转移方法在对LED芯片转移时容易导致LED芯片掉落、进行解粘附时可能会带走未及时脱离粘性膜的LED芯片，导致LED芯片良品率较低的技术问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种LED芯片转移结构，采用了如下所述的技术方案：

该LED芯片转移结构包括：转移件，所述转移件上设置有吸附部；

所述吸附部上设置有磁性纳米结构，所述磁性纳米结构用于通过磁吸力对LED芯片进行吸附，所述磁性纳米结构包括至少两个凸起结构，各所述凸起结构设置于所述磁性纳米结构的远离所述吸附部的一端，相邻两个所述凸起结构在磁力的作用下能够相互靠近或相互远离。

作为上述技术方案的进一步改进，于所述磁性纳米结构的与LED芯片接触的一侧，在二维平面内，所述磁性纳米结构沿第一方向延伸的长度大于沿第二方向延伸的长度。

作为上述技术方案的进一步改进，所述磁性纳米结构包括磁性纳米颗粒，所述磁性纳米颗粒嵌设于所述磁性纳米结构中。

作为上述技术方案的进一步改进，所述吸附部包括磁性纳米颗粒，所述磁性纳米颗粒嵌设于所述吸附部中。

作为上述技术方案的进一步改进，所述磁性纳米结构设置有至少两个，各所述磁性纳米结构呈阵列式布设于所述吸附部上。

作为上述技术方案的进一步改进，所述吸附部的横截面面积与所述LED芯片横截面面积的比值为0.8～1.5。

作为上述技术方案的进一步改进，所述吸附部设置有至少两个，各所述吸附部呈阵列式布设于所述转移件上。

作为上述技术方案的进一步改进，位于阵列式结构顶端的所述吸附部与所述转移件的边缘之间的距离小于或等于相邻两个所述吸附部之间距离的1/2。