[实用新型]一种气体吹扫管路、反应腔及半导体设备有效
申请号: | 202120249404.X | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN214012916U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 陈力钧;彭国发;汤介峰;荆泉;陆启迪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 管路 反应 半导体设备 | ||
1.一种气体吹扫管路,应用于反应腔,其特征在于,所述气体吹扫管路包括相互连通的主管路和支流管路,所述主管路的进气口与一气源相连,所述主管路的出气口与所述反应腔相连;
在所述反应腔处于工作状态时,所述支流管路处于关闭状态,所述主管路处于打开状态,所述气源提供的气体直接经所述主管路通入所述反应腔;
在所述反应腔处于停机状态时,所述主管路和所述支流管路均处于打开状态,所述气源提供的气体经所述主管路的进气口进入所述支流管路进行冷却,冷却后的气体经所述主管路的出气口通入所述反应腔。
2.根据权利要求1所述的气体吹扫管路,其特征在于,所述支流管路的外部设有冷却装置,所述冷却装置沿所述支流管路的周向设置。
3.根据权利要求2所述的气体吹扫管路,其特征在于,所述支流管路的内部设有至少一个温度传导片,所述温度传导片与所述冷却装置对应设置。
4.根据权利要求3所述的气体吹扫管路,其特征在于,所述温度传导片的轴向与所述支流管路的轴向相一致。
5.根据权利要求2所述的气体吹扫管路,其特征在于,所述冷却装置的内部设有干冰。
6.根据权利要求1所述的气体吹扫管路,其特征在于,所述主管路的出气口与所述支流管路的进气口之间设有第一阀门,当所述反应腔处于停机状态时,所述第一阀门处于关闭状态;当所述反应腔处于工作状态时,所述第一阀门处于打开状态。
7.根据权利要求1所述的气体吹扫管路,其特征在于,所述支流管路的进气口端设有第二阀门,当所述反应腔处于停机状态时,所述第二阀门处于打开状态;当所述反应腔处于工作状态时,所述第二阀门处于关闭状态。
8.根据权利要求7所述的气体吹扫管路,其特征在于,所述支流管路的出气口端设有第三阀门,当所述反应腔处于停机状态时,所述第三阀门均处于打开状态;当所述反应腔处于工作状态时,所述第三阀门处于关闭状态。
9.一种反应腔,其特征在于,包括如权利要求1~8中任一项所述的气体吹扫管路。
10.一种半导体设备,其特征在于,包括如权利要求9所述的反应腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造