[实用新型]一种气体吹扫管路、反应腔及半导体设备有效
申请号: | 202120249404.X | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN214012916U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 陈力钧;彭国发;汤介峰;荆泉;陆启迪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 管路 反应 半导体设备 | ||
本实用新型提供了一种气体吹扫管路、反应腔及半导体设备,所述气体吹扫管路包括相互连通的主管路和支流管路,主管路的进气口与一气源相连,主管路的出气口与所述反应腔相连;在反应腔处于工作状态时,支流管路处于关闭状态,主管路处于打开状态,气源提供的气体直接经主管路通入反应腔;在反应腔处于停机状态时,主管路和支流管路均处于打开状态,气源提供的气体经主管路的进气口进入支流管路进行冷却,冷却后的气体经主管路的出气口通入反应腔。本实用新型的气体吹扫管路利用冷却后的气体对反应腔进行吹扫降温,极大的缩短了反应腔的降温时间,提高了反应腔的实际工作时长和整体的生产效率,不仅减少了环境污染,还避免了误报警的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种气体吹扫管路、反应腔及半导体设备。
背景技术
目前TEL Vigus型号的机台的反应腔的温度设定为150℃,在所述反应腔达到设定的工作频度时,需要对所述腔体进行降温吹扫进行维护。由于受限于所述反应腔本身设计的问题,只能使用大量的氮气(N2)气体对所述腔体进行长达3小时的降温,所述腔体内的温度才能够达到室温。
然而,现有技术中通过常温氮气吹扫降温时间过长,这限制了所述反应腔的实际工作时长,影响了整体的生产效率;当腔体温度大于60°时,所述腔体内的副产物中含氟的气体粒子较为活跃,易挥发,如果腔体长时间维持在60°以上,极易造成环境污染。此外,在对所述腔体进行降温的时候,还需要操作人员采用酒精擦拭机台进行辅助降温,而当腔体温度降温接近至40°时,采用酒精擦拭机台却容易导致机台的GMS报警系统发生误报警的情况。
因此,有必要发明一种气体吹扫管路,以实现缩短所述反应腔的腔体内的降温时间的目的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种气体吹扫管路、反应腔及半导体设备,以解决现有技术中存在的通过常温气体吹扫对反应腔进行降温的时间过长,限制了所述反应腔的实际工作时长,影响了整体的生产效率,且容易造成环境污染以及容易导致误报警的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种气体吹扫管路,应用于反应腔,所述气体吹扫管路包括相互连通的主管路和支流管路,所述主管路的进气口与一气源相连,所述主管路的出气口与所述反应腔相连;
在所述反应腔处于工作状态时,所述支流管路处于关闭状态,所述主管路处于打开状态,所述气源提供的气体直接经所述主管路通入所述反应腔;
在所述反应腔处于停机状态时,所述主管路和所述支流管路均处于打开状态,所述气源提供的气体经所述主管路的进气口进入所述支流管路进行冷却,冷却后的气体经所述主管路的出气口通入所述反应腔。
可选的,所述支流管路的外部设有冷却装置,所述冷却装置沿所述支流管路的周向设置。
可选的,所述支流管路的内部设有至少一个温度传导片,所述温度传导片与所述冷却装置对应设置。
可选的,所述温度传导片的轴向与所述支流管路的轴向相一致。
可选的,所述冷却装置的内部设有干冰。
可选的,所述主管路的出气口与所述支流管路的进气口之间设有第一阀门,当所述反应腔处于停机状态时,所述第一阀门处于关闭状态;当所述反应腔处于工作状态时,所述第一阀门处于打开状态。
可选的,所述支流管路的进气口端设有第二阀门,当所述反应腔处于停机状态时,所述第二阀门处于打开状态;当所述反应腔处于工作状态时,所述第二阀门处于关闭状态。
可选的,所述支流管路的出气口端设有第三阀门,当所述反应腔处于停机状态时,所述第三阀门均处于打开状态;当所述反应腔处于工作状态时,所述第三阀门处于关闭状态。
本实用新型还提供一种反应腔,包括如上所述的气体吹扫管路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造