[实用新型]一种工艺设备有效

专利信息
申请号: 202120253417.4 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN214099642U 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 薛异荣
地址: 242074 安徽省宣城市经济*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 工艺设备
【说明书】:

实用新型提供一种工艺设备,包括工艺腔体、冷却单元、第一传输单元、传送带和第二传输单元。第一传输单元将具有较高温度的晶圆从工艺腔体中传输至冷却单元进行冷却,随后通过第二传输单元将冷却后的晶圆传送至传送带上。由于冷却后的晶圆具有较低的温度,因此晶圆背面不会与传送带发生反应,从而避免了晶圆背面残留有机物,进而避免了在太阳能电池中引入缺陷,降低了太阳能电池内部发生载流子复合的概率,从而提高了太阳能电池的开路电压和光电转换效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种工艺设备。

背景技术

太阳能作为一种绿色可再生的能源受到人们的广泛关注。在太阳能的有效利用中,太阳能电池的研究和开发日益得到重视。晶体硅异质结太阳能电池综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势,具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点,是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。

从制备方法上来说,晶体硅异质结太阳能电池一般以n型单晶硅片为衬底,在衬底正面依次沉积本征掺氢非晶硅薄膜和p型掺氢非晶硅薄膜,在衬底背面依次沉积本征掺氢非晶硅薄膜和n型掺氢非晶硅薄膜;在上述结构的两侧沉积透明导电氧化物薄膜(TCO);最后通过丝网印刷技术在透明导电氧化物薄膜的表面形成金属集电极。在太阳能电池的制备过程中,通常采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术制备掺氢非晶硅薄膜,并通过物理气相沉积(Physical Vapour Deposition,简称PVD)技术制备透明导电氧化物薄膜。当在CVD腔体中制备掺氢非晶硅薄膜后,需要将晶圆传输至PVD腔体中,在晶圆的传输过程中使用了机械手、传送带和其他传送机构。其中,由机械手中的吸盘吸附晶圆正面并将晶圆转移至传送带上,晶圆背面接触传送带,并由传送带传输至其他传送机构,随后由其他传送机构传输至PVD腔体。

然而,从CVD腔体转移出来的晶圆的温度为150℃-180℃,传送带的材料为有机材料,这使得晶圆转移至传送带上时,晶圆背面与传送带发生反应,导致晶圆背面残留有机物,从而在晶圆背面引入缺陷,最终导致太阳能电池的电学性能降低,如开路电压和光电转换效率降低。

实用新型内容

因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服将晶圆从工艺腔体转移至传送带的过程中晶圆的背面残留有机物的缺陷而引起晶圆的电学性能降低的问题,从而提供一种工艺设备。

本实用新型提供一种工艺设备,所述工艺设备适于制备太阳能电池,包括:工艺腔体;冷却单元,所述冷却单元设置于所述工艺腔体的一侧,所述冷却单元包括冷却板,所述冷却板适于承载晶圆,所述晶圆适于制备太阳能电池;第一传输单元,所述第一传输单元位于所述工艺腔体和所述冷却单元之间,所述第一传输单元适于将晶圆从所述工艺腔体中传输至所述冷却单元;传送带,所述传送带设置于所述冷却单元的一侧;第二传输单元,所述第二传输单元适于将所述晶圆由所述冷却单元传送至所述传送带上。

可选的,所述冷却板中具有冷却管道;所述冷却单元还包括:循环冷却水箱,所述循环冷却水箱适于给所述冷却管道提供冷却液。

可选的,所述冷却板中开设若干第一通孔;所述冷却单元还包括第一升降部件,所述第一升降部件包括:位于所述冷却板底部的第一升降托盘;位于所述第一升降托盘上的第一顶针,所述第一顶针适于穿过所述第一通孔;位于所述第一升降托盘底部的第一升降驱动件。

可选的,所述第一传输单元包括:承载平台;位于所述承载平台上的环形导轨和旋转平台,所述旋转平台适于在所述环形导轨上方沿着所述环形导轨运动;设置在所述旋转平台上的线性导轨;位于所述旋转平台上的第一机械手臂,所述第一机械手臂适于沿着所述线性导轨进行往复运动;位于所述承载平台下方的旋转驱动件;贯穿所述承载平台的第一传动轴,所述第一传动轴的一端连接所述旋转平台,所述第一传动轴的另一端连接旋转驱动件;位于所述承载平台下方的滑动驱动件;贯穿所述承载平台和所述旋转平台的第二传动轴,所述第二传动轴的一端连接所述滑动驱动件,所述第二传动轴的另一端连接所述滑动平台。

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