[实用新型]一种布气装置和镀膜装置有效
申请号: | 202120254861.8 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN214327868U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 张奕轩;彭一波 |
地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装置 镀膜 | ||
本申请提供了一种布气装置和镀膜装置,属于气相沉积技术领域,具体包括固定板,固定板上设置有布气腔组,布气腔组包括多个布气腔,布气腔的腔壁上设有进气口,以及与进气口连通的多个散气口,进气口用于向布气腔引入外部气源,多个散气口均位于布气腔的同一侧且均匀分布。通过本申请的处理方案,使气体粒子均匀的轰击在靶材上,提高形成膜层的均匀性。
技术领域
本申请涉及物理气相沉积的技术领域,尤其是涉及一种布气装置和镀膜装置。
背景技术
物理气相沉积(英文名为:Physical Vapor Deposition,简称PVD)指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基片表面上的过程,磁控溅射是PVD设备的一种应用最为广泛的沉积方式。磁控溅射的基本原理是利用氩气或氧气等混合气体中的等粒子体在电场和交变磁场的作用下,被加速的高能粒子轰击靶材表面,能量交换后,靶材表面的原子脱离原晶格而逸出,转移到基片表面而成膜。
在正常沉积工艺制备中,由于在PVD设备的端部通入的氩气,近侧压力大,远侧压力小,压力的不均匀会导致整个溅射空间中的氩粒子分布不够均匀,造成氩粒子对靶材整体的轰击不均匀,导致溅射区域气场分布流动不够均匀,继而在膜系匹配中,有的膜层偏薄,有的膜层偏厚,造成基片成膜的均匀性较差。
实用新型内容
有鉴于此,本申请提供一种布气装置和镀膜装置,解决了现有技术中气体粒子对靶材整体的轰击不均匀的问题,提高形成膜层的均匀性。
一方面本申请提供的一种布气装置采用如下的技术方案:
一种布气装置,包括固定板,所述固定板上设置有布气腔组,所述布气腔组包括多个布气腔,所述布气腔的腔壁上设有进气口以及与所述进气口连通的多个散气口,所述进气口用于向所述布气腔引入外部气源,多个所述散气口均位于所述布气腔的同一侧且均匀分布。
可选的,所述布气腔组包括条状主布气腔和多个辅布气腔,所述辅布气腔沿所述主布气腔的长度方向依次排列分布。
可选的,所述主布气腔上设有多个沿所述主布气腔长度方向间隔分布的进气口,用于从所述主布气腔的不同位置引入外部气源。
可选的,所述固定板的侧边上设有护板,多个所述护板围合成环绕所述布气腔组的护圈,用以包围从所述散气口发散的气体并规制气体流向。
可选的,所述主布气腔上的所述进气口沿主布气腔长度方向等距分布。
可选的,所述布气腔采用不锈钢、铝、铜或含铜合金材料中的任一种制成。
可选的,所述进气口上设有与所述布气腔固定连接的气路连接头,所述气路连接头与外部气源连接,所述外部气源包括氩气、氧气或氢气。
可选的,所述布气装置还包括支撑块和压杆,所述支撑块成对设置于所述固定板相对的两侧边,所述压杆的一端设有限位块,所述压杆的另一端上设有插销,所述压杆通过所述限位块和所述插销支撑于所述支撑块之间,所述布气腔固定于所述压杆和固定板之间。
另一方面本申请提供的一种镀膜装置采用如下的技术方案:
一种镀膜装置,包括镀膜腔室,所述镀膜腔室内设置有用于固定靶材的靶材座,所述镀膜腔室内还设置有如上所述的布气装置,所述布气装置平行设置于所述靶材座背离所述靶材的一侧,且所述散气口朝向所述靶材座,通过所述布气腔向所述镀膜腔室引入外部气源。
可选的,所述固定板上设置有固定块,所述固定块用于将固定板安装在镀膜腔室上。
综上所述,本申请包括以下有益技术效果:
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