[实用新型]一种真空镀膜溅射靶的测温装置有效
申请号: | 202120265522.X | 申请日: | 2021-01-31 |
公开(公告)号: | CN214361652U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 马毅;王瑞聪;黄先伟;谢续友 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 周红芳;朱盈盈 |
地址: | 310014 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空镀膜 溅射 测温 装置 | ||
本实用新型公开了一种真空镀膜溅射靶的测温装置,包括真空腔体室、真空腔体室及红外测温探测头,所述真空腔体室内设有溅射靶放置台,所述红外测温探测头上设有探测头旋转装置,所述溅射靶放置台底部设有柔性支撑管,所述柔性支撑管上设有连接支架,并通过连接支架与探测头旋转装置相连,并通过探测头旋转装置实现红外测温探测头对溅射靶放置台上的靶材进行温度检测。本实用新型的有益效果:设计巧妙,结构合理,使用方便,应用本装置实现溅射靶材测温,大幅简化了人的观察操作过程,降低了溅射靶材受到温度过高,导致靶材破裂的风险,提高了安全性和镀膜效果,对薄膜的研究领域具有重要的意义。
技术领域
本实用新型涉及溅射镀膜装置技术领域,具体涉及一种真空镀膜溅射靶的测温装置。
背景技术
溅射靶材的要求较传统材料行业高,一般要求如,尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制;较高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成分与组织均匀性、异物(氧化物)含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上,使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜,这种被镀的材料就叫溅射靶材。溅射靶材有金属,合金,陶瓷化合物等。溅射靶材主要应用于电子及信息产业,如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等;亦可应用于玻璃镀膜领域;还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。
目前,只有对镀膜过程中腔体的温度进行测温以及基体进行测温,如果不对溅射靶材进行测温的话,若溅射靶材温度过高,导致溅射靶材破裂会影响镀膜的效果,导致镀膜的效果不佳,可能甚至使得镀膜没有效果。
实用新型内容
针对现有技术中存在的上述问题,本实用新型的目的在于提供一种真空镀膜溅射靶的测温装置,以实现快速地、实时地、操作简便地实现靶材不同点测温。
本实用新型采用以下技术方案:
一种真空镀膜溅射靶的测温装置,其特征在于,包括真空腔体室、真空腔体室及红外测温探测头,所述真空腔体室内设有溅射靶放置台,所述红外测温探测头上设有探测头旋转装置,所述溅射靶放置台底部设有柔性支撑管,所述柔性支撑管上设有连接支架,并通过连接支架与探测头旋转装置相连,并通过探测头旋转装置实现红外测温探测头对溅射靶放置台上的靶材进行温度检测。
所述的一种真空镀膜溅射靶的测温装置,其特征在于,所述连接支架包括第一支架、第二支架、第三支架及第四支架,所述第一支架与第二支架对称设置,且第一支架与第二支架之间活动连接,所述第三支架与第四支架对称设置,且第三支架与第四支架之间活动连接,所述第一支架与第四支架之间固定连接,所述第二支架与第三支架之间固定连接。
所述的一种真空镀膜溅射靶的测温装置,其特征在于,所述柔性支撑管包括上金属支撑棒、中间波纹管及下金属支撑棒,所述上金属支撑棒一端与溅射靶放置台固定连接,所述上金属支撑棒另一端与中间波纹管的一端固定连接,所述中间波纹管的另一端与下金属支撑棒的一端固定连接,所述下金属支撑棒的另一端固定在真空腔体室底部。
所述的一种真空镀膜溅射靶的测温装置,其特征在于,所述第一支架与第四支架固定在上金属支撑棒上,所述第二支架与第三支架固定在下金属支撑棒上。
所述的一种真空镀膜溅射靶的测温装置,其特征在于,所述探测头旋转装置包括挡板、金属棒、柔性钢丝及电机,所述挡板一端设有固定帽,所述金属棒一端穿过挡板及固定帽,并通过紧固螺钉固定在固定帽上,所述金属棒另一端穿设在第四支架上,且其末端与柔性钢丝固定连接,所述柔性钢丝穿过第三支架,且其末端与真空腔体室外部的电机传动连接。
所述的一种真空镀膜溅射靶的测温装置,其特征在于,所述红外测温探测头穿设在挡板上,并通过第一拧紧螺栓及第二拧紧螺栓固定。
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