[实用新型]一种晶圆载具有效
| 申请号： | 202120270835.4 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN212648212U | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;侯华;陈刚;唐涛;何天棋 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 范文苑 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆载具 | ||
1.一种晶圆载具，包括基板（101），其特征在于，所述基板（101）承接面由内而外设有若干环形槽（2），所述环形槽（2）由内而外依次套设，最里面的所述环形槽（2）内设有第一凹槽（1），所述环形槽（2）和第一凹槽（1）内均适配设有微孔陶瓷构件（7），所述微孔陶瓷构件（7）顶面适配所述基板（101）承接面，所述环形槽（2）和第一凹槽（1）分别用于适配承接大于其对应外形尺寸的晶圆（5），每个所述环形槽（2）和第一凹槽（1）底部均对应设有抽气孔（4）。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆载具，其特征在于，所述第一凹槽（1）的形状与对应承接的所述晶圆（5）外形适配，每个所述环形槽（2）的形状分别与对应承接的所述晶圆（5）外形适配，所述第一凹槽（1）和每个所述环形槽（2）均同心设置，所述第一凹槽（1）和最里面的所述环形槽（2）之间、相邻所述环形槽（2）之间的凸沿（6）宽度为2-3mm。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆载具，其特征在于，所述基板（101）承接面和基板（101）底面平面度小于0.005mm，平行度小于0.03mm。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆载具，其特征在于，所述基板（101）背面外侧设有若干第二凹槽（3）。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种晶圆载具，其特征在于，所述基板（101）为一体成型的不锈钢构件。
6.根据权利要求1-4任一所述的一种晶圆载具，其特征在于，所述环形槽（2）和第一凹槽（1）与对应的所述微孔陶瓷构件（7）粘接连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司，未经成都先进功率半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120270835.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抽油杆减磨装置
- 下一篇：一种自动伸缩反向铣面装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
