[实用新型]一种晶圆载具有效
申请号: | 202120270835.4 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN212648212U | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 刘剑;侯华;陈刚;唐涛;何天棋 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 范文苑 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆载具 | ||
本实用新型涉及芯片制造技术领域,特别是一种晶圆载具,包括基板,所述基板承接面由内而外设有若干环形槽,所述环形槽由内而外依次套设,最里面的所述环形槽内设有第一凹槽,所述环形槽和第一凹槽内均适配设有微孔陶瓷构件,所述微孔陶瓷构件顶面适配所述基板承接面,所述环形槽和第一凹槽分别用于适配承接大于其对应外形尺寸的晶圆,每个所述环形槽和第一凹槽底部均对应设有抽气孔。本实用新型晶圆载具采用所述微孔陶瓷构件作为承接面不易发生变形,且作用在晶圆上的吸附力更加均匀,晶圆更加平整,晶圆背面涂敷的胶层厚度均匀程度好。
技术领域
本实用新型涉及芯片制造技术领域,特别是一种晶圆载具。
背景技术
芯片制造过程中,需要将环氧树脂等涂料均匀涂覆到晶圆背面。图1为现有技术中一种用于支撑和固定晶圆的载具,采用铝合金基板101作为晶圆承接表面,基板101承接表面为平面,设有若干通孔102,通过抽真空的方式将晶圆吸附固定在基板101上,便于后续将涂料涂覆到晶圆背面。由于铝合金基板101长时间使用后表面会出现变形,且抽真空时会使晶圆向通孔102内凹陷,导致晶圆平整度降低,以上使得晶圆背面涂敷的胶层厚度不均匀程度增大,导致晶圆报废率变高以及涂料浪费,影响后续工序。
实用新型内容
本实用新型目的在于针对现有技术中铝合金基板长时间使用后表面会出现变形,且抽真空时晶圆会向通孔内凹陷,导致晶圆平整度降低,以上使得晶圆背面涂敷的胶层厚度不均匀程度较大,导致晶圆报废率变高以及涂料浪费,影响后续工序的问题,提供一种晶圆载具。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种晶圆载具,包括基板,所述基板承接面由内而外设有若干环形槽,所述环形槽由内而外依次套设,最里面的所述环形槽内设有第一凹槽,所述环形槽和第一凹槽内均适配设有微孔陶瓷构件,所述微孔陶瓷构件顶面适配所述基板承接面,所述环形槽和第一凹槽分别用于适配承接大于其对应外形尺寸的晶圆,每个所述环形槽和第一凹槽底部均对应设有抽气孔。
所述环形槽指形成一圈连续沟槽,并不仅限于规则的圆环形沟槽。所述环形槽由内而外依次套设尺寸更大的所述环形槽,所述环形槽之间可不必同心设置,所述环形槽之间也不会交叉。所述微孔陶瓷构件顶面适配所述基板承接面,若所述微孔陶瓷构件顶面相对所述基板凸出太多,会导致抽真空时所述微孔陶瓷构件侧面漏气,若所述微孔陶瓷构件顶面相对所述基板凹陷太多,抽真空时晶圆会向内凹陷。所述环形槽和第一凹槽分别用于适配承接大于其对应外形尺寸的晶圆,例如所述第一凹槽对应所承接的晶圆尺寸大于所述第一凹槽。保证晶圆能完全盖住其内的微孔陶瓷构件,使得抽真空过程中不会漏气。每个所述环形槽之间、所述环形槽和第一凹槽之间互不连通且底部均对应设有抽气孔,抽真空时对相应所述抽气孔进行抽气。由于所述微孔陶瓷构件长期使用不易发生变形,作为所述晶圆承接面其吸附面积大,且因微孔密集且细小,使得吸附力更加均匀,所述晶圆被吸附后平整度好,使得晶圆背面涂敷的胶层厚度均匀程度好。
优选的,所述第一凹槽的形状与对应承接的所述晶圆外形适配,每个所述环形槽的形状分别与对应承接的所述晶圆外形适配,所述第一凹槽和每个所述环形槽均同心设置,所述第一凹槽和最里面的所述环形槽之间、相邻所述环形槽之间的凸沿宽度为2-3mm。晶圆的外形包括圆弧段和较短的直线段。所述第一凹槽和每个所述环形槽均包括圆弧段和较短的直线段,所述第一凹槽和每个所述环形槽的圆弧段均同心设置。缩小所述凸沿宽度可增大所述第一凹槽或环形槽面积,增大所述微孔陶瓷构件吸附面积,吸附力更强。
优选的,所述基板承接面和基板底面平面度小于0.005mm,平行度小于0.03mm。
优选的,所述基板背面外侧设有若干第二凹槽。
优选的,所述基板为一体成型的不锈钢构件。
所述环形槽和第一凹槽彼此互不相连,基板各吸附区域的真空相对独立,能够保证晶圆涂覆过程真空压力的稳定。
优选的,所述环形槽和第一凹槽与对应的所述微孔陶瓷构件粘接连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造