[实用新型]一种功率半导体器件结构有效
| 申请号： | 202120282289.6 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN214203668U | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 莫胜军 | 申请（专利权）人： | 博州晖力普电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/16;H01L23/48;H01L23/467 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 833400 新疆维吾尔自治区博尔塔拉蒙古自治州博*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 结构 | ||
1.一种功率半导体器件结构，包括器件本体(1)，其特征在于：所述器件本体(1)的侧表面固定连接有散热板(2)，所述散热板(2)远离器件本体(1)的一侧固定连接有连接块(13)，所述连接块(13)远离散热板(2)的一端固定连接有封盖(11)，所述封盖(11)的下表面固定连接有散热条(10)；
所述器件本体(1)的左侧面固定连接有第一引脚(3)，所述器件本体(1)的右侧面固定连接有第二引脚(4)，所述器件本体(1)的右侧面且位于第二引脚(4)的下方固定连接有第三引脚(5)，所述第一引脚(3)、第二引脚(4)、第三引脚(5)的内部均固定连接有金属片(6)；
所述封盖(11)的内部开设有多个散热通道(9)。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件结构，其特征在于：所述第一引脚(3)、第二引脚(4)、第三引脚(5)远离器件本体(1)的一端均延伸至封盖(11)的外部。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件结构，其特征在于：所述第一引脚(3)、第二引脚(4)、第三引脚(5)远离器件本体(1)的一端均固定连接有圆形凸块(7)。
4.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件结构，其特征在于：所述金属片(6)的形状设置为工字型。
5.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件结构，其特征在于：所述第一引脚(3)、第二引脚(4)、第三引脚(5)与散热板(2)的连接处均设置有绝缘垫(12)。
6.根据权利要求5所述的一种功率半导体器件结构，其特征在于：所述绝缘垫(12)所使用的材料聚酰亚胺。
7.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件结构，其特征在于：所述散热通道(9)的一端与散热腔(8)的内部相连接，所述散热通道(9)远离散热腔(8)的一端与外界相连接。
8.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件结构，其特征在于：所述散热条(10)的位置位于散热通道(9)之间。
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