[实用新型]一种功率半导体器件结构

说明书

本实用新型公开了一种功率半导体器件结构，包括器件本体，所述器件本体的侧表面固定连接有散热板，所述散热板远离器件本体的一侧固定连接有连接块，所述连接块远离散热板的一端固定连接有封盖，所述封盖的下表面固定连接有散热条，所述器件本体的左侧面固定连接有第一引脚，所述器件本体的右侧面固定连接有第二引脚。本实用新型，设置在器件本体外部散热板，对器件本体进行降温，避免器件本体温度过高，提高器件本体的使用寿命，设置金属片，增强引脚的刚度与柔软度，避免引脚在使用时断裂，增加该装置的实用性，设置多个散热通道，使器件本体散热的热量均匀地通过散热通道排出，避免热量分布在一块，导致封盖受热损坏。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件结构。

背景技术

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。

目前半导体器件在使用时，会产生大量的热量，不但会影响器件本体的使用寿命，温度过高的话还会使器件本体损坏，而且产生的热量无法均匀的排出，使大量的热量与同一处排出，也会导致封盖受到损坏，而且器件本体的引脚在使用时，由于刚度与柔度不是很好，导致在使用时发生破裂。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种功率半导体器件结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种功率半导体器件结构，包括器件本体，所述器件本体的侧表面固定连接有散热板，所述散热板远离器件本体的一侧固定连接有连接块，所述连接块远离散热板的一端固定连接有封盖，所述封盖的下表面固定连接有散热条；

所述器件本体的左侧面固定连接有第一引脚，所述器件本体的右侧面固定连接有第二引脚，所述器件本体的右侧面且位于第二引脚的下方固定连接有第三引脚，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚的内部均固定连接有金属片；

所述封盖的内部开设有多个散热通道。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述第一引脚、第二引脚、第三引脚远离器件本体的一端均延伸至封盖的外部。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述第一引脚、第二引脚、第三引脚远离器件本体的一端均固定连接有圆形凸块。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述金属片的形状设置为工字型。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述第一引脚、第二引脚、第三引脚与散热板的连接处均设置有绝缘垫。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述绝缘垫所使用的材料聚酰亚胺。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述散热通道的一端与散热腔的内部相连接，所述散热通道远离散热腔的一端与外界相连接。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述散热条的位置位于散热通道之间。

本实用新型具有如下有益效果：

1、与现有技术相比，该功率半导体器件结构，通过设置在器件本体外部散热板，能够对器件本体进行降温，避免器件本体温度过高影响使用效果，提高器件本体的使用寿命。