[实用新型]对称式正反接检测电路

权利要求书

1.对称式正反接检测电路，其特征在于，包括第一连接器、第二连接器、第一控制单元、第二控制单元、第三控制单元、第四控制单元、第一检测信号输入单元、第二检测信号输入单元以及主控MCU；所述第一连接器与所述第一控制单元连接，所述第二连接器与所述第二控制单元连接，所述第一控制单元与第二控制单元、第三控制单元和第四控制单元连接，所述第二控制单元与所述第一控制单元、第三控制单元和第四控制单元连接，所述第三控制单元与所述第一检测信号输入单元连接，所述第一检测信号输入单元与所述主控MCU连接，所述第四控制单元与所述第二检测信号输入单元连接，所述第二检测信号输入单元与所述主控MCU连接。

2.根据权利要求1所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述第一控制单元和第二控制呈上下对称设置；所述第三控制单元和第四控制单元呈左右对称设置。

3.根据权利要求2所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述第一控制单元为二极管D1。

4.根据权利要求3所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述第二控制单元为二极管D2。

5.根据权利要求4所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述第三控制单元为三极管Q1。

6.根据权利要求5所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述第四控制单元为光耦合器U2。

7.根据权利要求6所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述第一检测信号输入单元为电阻R5，所述第二检测信号输入单元为电阻R6。

8.根据权利要求7所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述二极管D1的正极与所述第一连接器连接，所述二极管D1的负极与所述三极管Q1的基极、光耦合器U2的控制端以及二极管D2的负极连接，所述二极管D2的正极与所述第二连接器连接，所述二极管D2的负极与所述三极管Q1的集电极、光耦合器U2的控制端以及二极管D1的负极连接，所述三极管Q1的发射极与GND连接，所述三极管Q1的基极通过电阻R2与所述二极管D1的负极、二极管D2的负极以及光耦合器U2的控制端连接，所述三极管Q1的集电极与所述电阻R5的一端连接，所述光耦合器U2的控制端与检测设备的电源连接，所述光耦合器U2的控制端通过电阻R3与所述二极管D1的负极、二极管D2的负极以及三极管Q1的基极连接，所述光耦合器U2的受控端与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述主控MCU连接，所述电阻R6的另一端与所述主控MCU连接。

9.根据权利要求8所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，所述主控MCU为芯片U1，所述芯片U1所采用的型号为HT66F004。

10.根据权利要求9所述的对称式正反接检测电路，其特征在于，还包括硬件控制单元；所述硬件控制单元包括电阻R7以及MOS管Q2，所述电阻R7的一端与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述MOS管Q2的源极与GND连接。