[实用新型]抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件有效
| 申请号： | 202120352613.7 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN214797430U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王杏娟;凌根略;王敏;陶武刚;徐兴军 | 申请（专利权）人： | 郴州旗滨光伏光电玻璃有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 423000 湖南省郴州*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pid 效应 组件 晶体 硅光伏 | ||
1.一种抗PID效应的组件，其特征在于，所述抗PID效应的组件包括玻璃基体，设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。
2.根据权利要求1所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述氧化锡层包括第一氧化锡层，所述第一氧化锡层为渗透至所述玻璃基体的表层形成的过渡区间。
3.根据权利要求2所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述过渡区间的厚度为2～25微米。
4.根据权利要求1所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述氧化锡层包括第二氧化锡层，所述第二氧化锡层是层叠结合在所述玻璃基体的表面。
5.根据权利要求1所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述氧化锡层包括第一氧化锡层和第二氧化锡层，所述第一氧化锡层为渗透至所述玻璃基体的表层形成的过渡区间；所述第二氧化锡层是结合在所述第一氧化锡层的背离所述玻璃基体的表面。
6.根据权利要求4所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述第二氧化锡层为0.01～0.05微米。
7.根据权利要求1～5任一所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述抗PID效应的组件，还包括：在所述氧化锡层背离所述玻璃基体的表面设置减反膜层。
8.根据权利要求7所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述减反膜层的厚度为150～180纳米。
9.根据权利要求1所述的抗PID效应的组件，其特征在于，所述玻璃基体的厚度为2～5毫米。
10.一种抗PID效应的晶体硅光伏组件，其特征在于，所述晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，所述透明封装层选自权利要求1～9任一所述的抗PID效应的组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
