[实用新型]抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件有效
申请号: | 202120352613.7 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN214797430U | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 王杏娟;凌根略;王敏;陶武刚;徐兴军 | 申请(专利权)人: | 郴州旗滨光伏光电玻璃有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 423000 湖南省郴州*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pid 效应 组件 晶体 硅光伏 | ||
本实用新型涉及光伏技术领域,提供了抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件,其中,所述抗PID效应的组件包括玻璃基体,设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小,离子势能更强,与氧原子的结合能力更强,有明显的聚集作用,能够增强玻璃网络结构,使玻璃网络结构更加致密,进而限制钠离子、钙离子的迁移,使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐,保护玻璃不会发生严重的侵蚀,能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性,有效的减小玻璃上表面的PID衰减效应的产生;同时,氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小,进而保证得到的组件抗PID效应较强且整体性能优异,应用广泛。
技术领域
本实用新型属于光伏技术领域,尤其涉及一种抗PID效应的组件及抗PID 效应的晶体硅光伏组件。
背景技术
目前,电池组件在封装的层压过程中,分为5层。从外到内为:玻璃、EVA、电池片、EVA、背板。其中,玻璃是非晶无机非金属材料,一般是用多种无机矿物(如石英砂、硼砂、硼酸、重晶石、碳酸钡、石灰石、长石、纯碱等)为主要原料,另外加入少量辅助原料制成的。它的主要成分为二氧化硅和其他氧化物。
其中,为了增加玻璃的透过率,一般在玻璃的上表面进行减反膜的涂覆。当光伏组件长期在潮湿的环境中或者密封不严,空气中的水会吸附在玻璃表面,而玻璃中存在大量的钠离子、钙离子,占玻璃重量百分比12~15%之间。玻璃中的钠离子、钙离子和水中的氢离子H+进行交换,在玻璃表面水解形成NaOH并分离出SiO2,分离出来的SiO2生成硅氧凝胶,在玻璃表面形成保护性薄膜;然而水解生成的NaOH与空气中的CO2反应生成Na2CO3聚集在玻璃表面,由于碳酸盐的强吸潮性最后形成碱液小滴并与玻璃长期接触,保护层硅氧凝胶薄膜可在其中部分被溶解,从而使玻璃表面发生严重的局部侵蚀,形成斑点,引发了玻璃透过率的降低,再进一步引起电池组件发电效率的下降,在组件行业称之为PID衰减效应。
目前,在玻璃的上表面涂覆减反膜,只能提高玻璃减反增透的作用,无法阻止或减小晶硅组件PID衰减效应,导致晶硅组件无法长时间进行正常使用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件,旨在解决现有技术中提供的组件存在PID衰减效应导致影响使用的问题。
为实现上述实用新型目的,本实用新型采用的技术方案如下:
第一方面,本实用新型提供一种抗PID效应的组件,所述抗PID效应的组件包括玻璃基体,设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。
进一步,所述氧化锡层包括第一氧化锡层,所述第一氧化锡层为渗透至所述玻璃基体的表层形成的过渡区间。
进一步,所述氧化锡层包括第二氧化锡层,所述第二氧化锡层是层叠结合在所述玻璃基体的表面。
进一步,所述氧化锡层包括第一氧化锡层和第二氧化锡层,所述第一氧化锡层为渗透至所述玻璃基体的表层形成的过渡区间;所述第二氧化锡层是结合在所述第一氧化锡层的背离所述玻璃基体的表面。
进一步,所述过渡区间的厚度为2~25微米。
进一步,所述第二氧化锡层为0.01~0.05微米。
进一步,所述抗PID效应的组件,还包括:在所述氧化锡层背离所述玻璃基体的表面设置减反膜层。
进一步,所述减反膜层的厚度为150~180纳米。
进一步,所述玻璃基体的厚度为2~5毫米。
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