[实用新型]气体操作头和晶片吸附装置有效
申请号: | 202120355418.X | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN214254385U | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 郎欣林;罗会才;闫静 | 申请(专利权)人: | 深圳市丰泰工业科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 艾青;牛悦涵 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 操作 晶片 吸附 装置 | ||
本实用新型涉及半导体设备技术领域,公开了一种气体操作头和晶片吸附装置。气体操作头包括:操作头主体、操作头基座、密封盖板、以及发光件。操作头主体为内部中空的主体腔体;操作头主体的外壁上设置有凸出操作头主体外壁的操作工作面,操作工作面上设置有与主体腔体相连通的至少一个气口;操作头基座的内部设置有基座腔体,操作头基座的一个端面上设置有腔体开口;腔体开口与基座腔体相连通,基座腔体与主体腔体相连通;密封盖板可拆卸地密封固定在腔体开口上;发光件以用于照射气口。利用本实用新型实施例提供的气体操作头,根据发光件发出的光线穿透气口的情况,从而判断气口是否堵塞,了解气体操作头吸附晶片的情况,提高晶片吸附效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种气体操作头和晶片吸附装置。
背景技术
晶片转移的过程分为剥离、吸附、和转移等步骤。在晶片与粘接膜上的胶水剥离后,采用真空吸附装置吸取晶片,进而对晶片进行转移。
现有技术中的真空吸附装置一般是采用负压吸附,但真空吸附装置中的气体操作头在吸附晶片的同时也会吸入粘接膜上的部分胶水。在真空吸附装置多次吸取晶片之后,气体操作头上的吸附孔很容易被胶水堵塞,从而导致晶片的吸附效果不好,且因为吸附孔的直径较小,肉眼无法检测到吸附孔内的堵塞情况。同时,在一次吸附多个晶片的情况下,也很难判断每个吸附孔是否吸附到晶片,从而造成晶片的转移效率低。
实用新型内容
为了解决吸附孔堵塞后难以检测、及难以判断吸附孔吸附情况的技术问题,本实用新型提供了一种气体操作头和晶片吸附装置。
第一方面,本实用新型提供了一种气体操作头,包括:
操作头主体,所述操作头主体为内部中空的主体腔体;所述操作头主体的外壁上设置有凸出所述操作头主体外壁的操作工作面,所述操作工作面上设置有与所述主体腔体相连通的至少一个气口;
操作头基座,所述操作头基座的内部设置有基座腔体,所述操作头基座的一个端面上设置有腔体开口;所述腔体开口与所述基座腔体相连通,所述基座腔体与所述主体腔体相连通;
密封盖板,所述密封盖板可拆卸地密封固定在所述腔体开口上;
发光件,所述发光件以用于照射所述气口。
可选地,所述密封盖板包括透明密封盖板。
可选地,所述密封盖板的透光率介于80%至100%之间。
可选地,所述发光件设置在所述密封盖板远离所述操作头基座的一侧。
可选地,所述发光件设置在所述操作头主体的周侧,或者,所述发光件设置在所述操作工作面上。
可选地,所述发光件设置在所述密封盖板靠近所述操作头基座的一侧。
可选地,所述发光件包括红光发光件。
可选地,所述气口的形状包括圆形、矩形、或梯形中的一种或多种。
第二方面,本实用新型提供了一种晶片吸附装置,包括:光线检测件和上述的气体操作头,所述光线检测件以用于检测所述气体操作头中的气口透出的光线。
可选地,所述光线检测件包括CCD相机。
本实用新型实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造