[实用新型]一种晶圆去胶剥离装置

说明书

本实用新型提供一种晶圆去胶剥离装置，包括处理箱，处理箱的前侧设有箱门，处理箱的底部设有与处理箱左右两侧垂直设置的导轨，导轨上设有能够沿其滑动的支撑杆，支撑杆的顶部设有支撑板，支撑板的顶部设有承载盘，支撑板的底部设有驱动承载盘转动的电机；支撑板上设有若干密布的引流孔，承载盘上设有若干放置孔，放置孔的孔壁底部上设有水平设置的纱格网；处理箱的侧壁上设有推动支撑杆移动的推动气缸；处理箱的顶部设有两个竖直升降隔板，当升降隔板完全收缩时，其底部高于承载盘的顶部，两个竖直升降隔板将处理箱隔成沿着导轨方向的去胶腔、清洗腔与干燥腔，去胶腔的顶部设有去胶喷头，清洗腔的顶部设有清洗喷头，干燥腔的顶部设有喷气头。

技术领域

本实用新型涉及晶圆表面去胶剥离技术领域，具体涉及一种晶圆去胶剥离装置。

背景技术

半导体工艺主要是指在晶圆的器件面上制作半导体器件。具体地，首先，在晶圆的器件面上涂覆一层光刻胶，然后经过曝光、显影等光刻工艺步骤在所述光刻胶上形成光刻图案。在后续的离子注入过程中，对于光刻图案下方的部分半导体器件，由于光刻图案的遮蔽，离子注入过程中产生的离子仅仅注入到光刻图案中而不会进入光刻图案下方的部分半导体器件中，离子注入过程中产生的离子则会注入到半导体器件内部。在离子注入完成后，还需要去除经过离子注入的光刻图案，称为光刻胶(photoresist，PR)剥离。

目前PR剥离方法是在设备的腔室中干法刻蚀以去除经过离子注入的光刻图案胶层。干法刻蚀常使用氧气与光刻胶发生反应，此过程又称为灰化(ashing)，且反应时可使晶圆的温度达到350摄氏度左右。执行PR剥离前需要对晶圆升温处理，执行PR剥离后的晶圆则需要降温处理。一般利用腔室的夹盘的加热机构加热晶圆，以及冷却流路冷却晶圆，则腔室随着制程的推移温差变化较大，可能会对设备产生不良影响，且设备处理晶圆的效率不高，操作复杂。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种晶圆去胶剥离装置，效率高，且易操作，提高处理晶圆的效率。

本实用新型提供了如下的技术方案：

一种晶圆去胶剥离装置，包括处理箱，所述处理箱的前侧设有箱门，所述处理箱的底部设有与所述处理箱左右两侧垂直设置的导轨，所述导轨上设有能够沿其横向滑动的支撑杆，所述支撑杆的顶部设有支撑板，所述支撑板的顶部设有承载盘，所述支撑板的底部设有电机，所述电机的驱动轴穿过所述支撑板并与所述承载盘的底部中心固定连接；所述支撑板上设有若干密布的引流孔，所述引流孔的尺寸小于所述支撑杆与所述电机的尺寸，所述承载盘上设有若干放置孔，所述放置孔的孔壁底部上设有水平设置的纱格网；所述处理箱的侧壁上设有推动所述支撑杆移动的推动气缸；

所述处理箱的顶部设有两个竖直升降隔板，当所述升降隔板完全收缩时，其底部高于所述承载盘的顶部，两个所述竖直升降隔板将所述处理箱隔成沿着所述导轨方向的去胶腔、清洗腔与干燥腔，所述去胶腔的顶部设有用于喷淋去胶溶液的去胶喷头，所述清洗腔的顶部设有用于喷淋清洗溶液的清洗喷头，所述干燥腔的顶部设有喷气头。

优选的，所述升降隔板包括固定板、挡板与升降气缸，所述固定板的顶部与所述处理箱的顶部固定连接，所述固定板一侧的所述处理箱的顶部设有升降气缸，所述挡板的顶部一侧设有与所述固定板相对的插槽，所述固定板能够插设于所述插槽内，所述固定板的顶部另一侧与所述升降气缸的活塞底部固定连接，所述升降气缸带动所述挡板竖直升降。

优选的，所述挡板的高度大于所述固定板底部与所述电机底部的高度和。

优选的，所述支撑杆的数量为两个，所述支撑板与所述承载盘共轴，两个所述支撑杆的顶部分别相对的与所述支撑板的底部两侧固定连接，所述电机固定于所述支撑板的底部中心，所述支撑板的中心设有与所述电机的驱动轴匹配的穿孔，所述电机的驱动轴穿过所述穿孔。

优选的，所述导轨上设有能够沿其滑动的滑块，所述支撑杆的底部固定于所述滑块上，所述推动气缸与所述滑块连接。