[实用新型]湿刻装置有效
申请号: | 202120391225.X | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN214411132U | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 陈定平;朱厚华;周克涝 | 申请(专利权)人: | 深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种湿刻装置,其特征在于,包括:
酸槽(110),用于盛装腐蚀液;
循环组件,用于驱动所述腐蚀液在所述酸槽(110)内循环流动;及
夹具(120),位于所述酸槽(110)内,具有用于承装晶片的安装腔(121),所述夹具(120)被构造为受控在所述酸槽(110)内移动。
2.根据权利要求1所述的湿刻装置,其特征在于,还包括提拉组件(130),所述提拉组件(130)与所述夹具(120)连接,被构造为驱动所述夹具(120)沿所述酸槽(110)的槽深方向作升降运动。
3.根据权利要求2所述的湿刻装置,其特征在于,位于所述安装腔(121)内的所述晶片的轴向呈水平布置;
所述湿刻装置还包括旋转组件(140),所述旋转组件(140)包括受控自转的旋转轴(141),所述旋转轴(141)位于所述酸槽(110)内,且位于所述夹具(120)的下方,所述旋转轴(141)沿所述晶片的轴向布置;
当所述提拉组件(130)驱动所述夹具(120)下降至预设深度时,所述旋转轴(141)与所述晶片抵接,且能够在自转时带动所述晶片轴向旋转预设角度。
4.根据权利要求3所述的湿刻装置,其特征在于,所述提拉组件(130)还被构造为驱动所述夹具(120)在所述预设深度停留预设时间,以使得所述晶片在所述旋转轴(141)的带动下旋转预设角度。
5.根据权利要求3所述的湿刻装置,其特征在于,所述酸槽(110)内设置有定位部(115),所述定位部(115)布置于所述预设深度处,当所述提拉组件(130)驱动所述夹具(120)下降至所述预设深度时,所述夹具(120)与所述定位部(115)相抵。
6.根据权利要求3所述的湿刻装置,其特征在于,所述酸槽(110)包括外槽(111)和框架(112),所述框架(112)位于所述外槽(111)内,且与所述外槽(111)连通;
所述夹具(120)位于所述框架(112)内。
7.根据权利要求6所述的湿刻装置,其特征在于,所述外槽(111)的外壁上设置有背离所述外槽(111)槽底延伸的安装板(113),所述提拉组件(130)和所述旋转组件(140)均连接于所述安装板(113)。
8.根据权利要求7所述的湿刻装置,其特征在于,所述安装板(113)上具有一导向槽(114),所述导向槽(114)沿所述外槽(111)的槽深方向延伸;
所述提拉组件(130)包括第一驱动件和连接杆(131),所述连接杆(131)穿设所述导向槽(114),并连接所述第一驱动件和所述夹具(120);
所述连接杆(131)在所述第一驱动件的驱动下沿所述导向槽(114)的延伸方向移动时,带动所述夹具(120)作升降运动。
9.根据权利要求8所述的湿刻装置,其特征在于,所述安装板(113)上具有第一安装孔,所述第一安装孔相比所述导向槽(114)靠近所述外槽(111)的槽底布置,所述框架(112)具有第二安装孔,所述旋转轴(141)可转动地安装于所述第二安装孔;
所述旋转组件(140)还包括第二驱动件、传动杆(142)和传动齿轮组(143),所述传动杆(142)穿设所述第一安装孔,并连接所述第二驱动件和所述传动齿轮组(143),所述传动齿轮组(143)与所述旋转轴(141)连接;
所述传动齿轮组(143)用于将所述传动杆(142)在所述第二驱动件的驱动下自转时产生的转矩传递至所述旋转轴(141)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的湿刻装置,其特征在于,还包括加热件(150),所述加热件(150)设于所述酸槽(110)的槽底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造