[实用新型]湿刻装置

说明书

本申请涉及一种湿刻装置。该湿刻装置包括酸槽、循环组件和夹具。酸槽用于盛装腐蚀液，循环组件用于驱动腐蚀液在酸槽内循环流动夹具位于酸槽内，具有用于承装晶片的安装腔，夹具被构造为受控在酸槽内移动。本申请的湿刻装置能够避免因反应副产物附着于晶片导致的晶片表面出现点状氧化层残留的问题，从而提高晶片的成片质量。

技术领域

本申请涉及半导体加工设备技术领域，特别是涉及一种湿刻装置。

背景技术

湿刻法是采用BOE腐蚀液(俗称酸液)与二氧化硅氧化膜层进行反应，对二氧化硅膜层进行图形化的工艺。在湿刻工艺中，需要将作为处理对象的晶片置于湿刻装置的酸槽内，用酸液浸泡晶片，并对晶片上的二氧化硅氧化膜层进行腐蚀。现有湿刻装置的腐蚀时，由于副产物聚集于氧化层的某个位置时，会阻止该处氧化层继续腐蚀，造成此处出现点状的氧化层残留。

实用新型内容

针对现有腐蚀工艺的湿刻装置经常出现的点状氧化层残留，本发明提供了一种改善上述缺陷的湿刻装置。

一种湿刻装置，包括：

酸槽，用于盛装腐蚀液；

循环组件，用于驱动所述腐蚀液在所述酸槽内循环流动；及

夹具，位于所述酸槽内，具有用于承装晶片的安装腔，所述夹具被构造为受控在所述酸槽内移动。

在其中一个实施例中，还包括提拉组件，所述提拉组件与所述夹具连接，被构造为驱动所述夹具沿所述酸槽的槽深方向作升降运动。

在其中一个实施例中，位于所述安装腔内的所述晶片的轴向呈水平布置；

所述湿刻装置还包括旋转组件，所述旋转组件包括受控自转的旋转轴，所述旋转轴位于所述酸槽内，且位于所述夹具的下方，所述旋转轴沿所述晶片的轴向布置；

当所述提拉组件驱动所述夹具下降至预设深度时，所述旋转轴与所述晶片抵接，且能够在自转时带动所述晶片轴向旋转预设角度。

在其中一个实施例中，所述提拉组件还被构造为驱动所述夹具在所述预设深度停留预设时间，以使得所述晶片在所述旋转轴的带动下旋转预设角度。

在其中一个实施例中，所述酸槽内设置有定位部，所述定位部布置于所述预设深度处，当所述提拉组件驱动所述夹具下降至所述预设深度时，所述夹具与所述定位部相抵。

在其中一个实施例中，所述酸槽包括外槽和框架，所述框架位于所述外槽内，且与所述外槽连通；

所述夹具位于所述框架内。

在其中一个实施例中，所述外槽的外壁上设置有背离所述外槽槽底延伸的安装板，所述提拉组件和所述旋转组件均连接于所述安装板。

在其中一个实施例中，所述安装板上具有一导向槽，所述导向槽沿所述外槽的槽深方向延伸；

所述提拉组件包括第一驱动件和连接杆，所述连接杆穿设所述导向槽，并连接所述第一驱动件和所述夹具；

所述连接杆在所述第一驱动件的驱动下沿所述导向槽的延伸方向移动时，带动所述夹具作升降运动。

在其中一个实施例中，所述安装板上具有第一安装孔，所述第一安装孔相比所述导向槽靠近所述外槽的槽底布置，所述框架具有第二安装孔，所述旋转轴可转动地安装于所述第二安装孔；

所述旋转组件还包括第二驱动件、传动杆和传动齿轮组，所述传动杆穿设所述第一安装孔，并连接所述第二驱动件和所述传动齿轮组，所述传动齿轮组与所述旋转轴连接；

所述传动齿轮组用于将所述传动杆在所述第二驱动件的驱动下自转时产生的转矩传递至所述旋转轴。

在其中一个实施例中，还包括加热件，所述加热件设于所述酸槽的槽底。