[实用新型]掩膜版有效
申请号: | 202120399484.7 | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN215181391U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 黄建维;夏忠平;王嘉鸿;陶丹丹 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/00 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 | ||
1.一种掩膜版,其特征在于,包括多组掩膜图形,以及位于所述掩膜版边缘和相邻两组所述掩膜图形之间的对准标记单元;
其中,每组所述掩膜图形用于不同膜层的光刻工艺,所述对准标记单元包括分别与其相邻的所述掩膜图形对应的子标记单元。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,每组所述掩膜图形的周围设置有遮光带。
3.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述对准标记单元设置于所述遮光带上。
4.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述子标记单元包括分别对应光刻机不同传感器的多排传感器标记。
5.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,每排所述传感器标记沿着其相邻的所述掩膜图形的边设置。
6.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述传感器包括透射图像传感器和透镜干涉仪。
7.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述传感器标记用于测量对应的所述掩膜图形的畸变量,以及用于实现所述光刻机和所述掩膜版的对准。
8.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述子标记单元中,每排所述传感器标记中的标记数量为多个。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备